[发明专利]一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法

摘要

本发明公开了一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法，涉及无损检测信号处理领域，包括：接收输入的多对电极电容成像检测信号，其中所述检测信号包含缺陷检测信号Yn和无缺陷检测信号YSn；求缺陷信号变化值△Yn＝Yn‑YSn,并同时判断缺陷信号变化值△Yn是否大于等于预设阀值Pn；如果否，则判断缺陷不存在；如果是，则判断缺陷存在；对缺陷信号Yn对应的横坐标Xn进行坐标变换，变换后的横坐标HXn＝Xn‑dn/2；对缺陷信号Yn进行变换，变换后的纵坐标HYn＝Yn./YSn；并根据横坐标HXn与纵坐标HYn绘制曲线图；当缺陷所对应曲线图的波谷个数为1时，确定最大电极对编号Ca；当同一缺陷所对应曲线图的波谷个数为2时，确定最小电极对编号Cb；则判定此缺陷的深度位于电极对Ca与Cb的有效检测深度之间。

主权项

1.一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法，应用于提离高度不变的情况下基于多对电极电容成像检测技术的检测信号，其特征在于，包括：接收输入的多对电极电容成像检测信号，其中所述多对电极电容成像检测信号包含提离高度L下的各电极对(C1、C2……Cn)对含缺陷试件的检测信号(Y1、Y2、……Yn)和同一提离高度L下的各电极对(C1、C2……Cn)对同一材质无缺陷试件的检测信号(YS1、YS2、……YSn)；对所述多对电极电容成像缺陷检测信号求缺陷信号变化值△Yn＝Yn‑YSn,并同时判断多对电极电容成像缺陷信号变化值△Yn是否大于等于预设阀值Pn；如果否，则判断缺陷不存在；如果是，则判断缺陷存在；对缺陷信号Yn所对应的横坐标Xn进行坐标变换，变换后的横坐标为HXn＝Xn‑dn/2，其中d1、d2……dn为各电极对(C1、C2……Cn)的中心距；对缺陷信号Yn进行变换，变换后的纵坐标为HYn＝Yn./YSn；并根据横坐标HXn与纵坐标HYn绘制曲线图；当缺陷所对应曲线图的波谷个数为1时，确定各电极对(C1、C2……Cn)中的最大电极对编号Ca，其中1≤a≤n；当同一缺陷所对应曲线图的波谷个数为2时，确定各电极对(C1、C2……Cn)中的最小电极对编号Cb，其中1≤b≤n；则判定此缺陷的深度位于电极对Ca与电极对Cb的有效检测深度之间。