[发明专利]一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法

说明书

本发明公开了一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法，涉及无损检测信号处理领域，包括：接收输入的多对电极电容成像检测信号，其中所述检测信号包含缺陷检测信号Y_n和无缺陷检测信号YS_n；求缺陷信号变化值△Y_n＝Y_n‑YS_n,并同时判断缺陷信号变化值△Y_n是否大于等于预设阀值P_n；如果否，则判断缺陷不存在；如果是，则判断缺陷存在；对缺陷信号Y_n对应的横坐标X_n进行坐标变换，变换后的横坐标HX_n＝X_n‑d_n/2；对缺陷信号Y_n进行变换，变换后的纵坐标HY_n＝Y_n./YS_n；并根据横坐标HX_n与纵坐标HY_n绘制曲线图；当缺陷所对应曲线图的波谷个数为1时，确定最大电极对编号C_a；当同一缺陷所对应曲线图的波谷个数为2时，确定最小电极对编号C_b；则判定此缺陷的深度位于电极对C_a与C_b的有效检测深度之间。

技术领域

本发明涉及无损检测信号处理领域，尤其涉及一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法。

背景技术

多对电极电容成像检测技术是基于单对电极电容成像检测技术发展而来的一种新型检测技术，单对电极电容成像检测技术是一种利用一对共面电极板之间产生的准静态边缘电场对缺陷进行检测的技术，当缺陷位于共面电极板之间的有效检测电场内时，缺陷会扰动有效电场的分布，影响检测极板上测得的电荷数，从而达到检测缺陷的目的。

单对电极电容成像检测技术虽能对导体表面缺陷和非导体内部缺陷进行检测，但检测结果只能大致体现缺陷的长度和宽度信息，无法反映非导体内部缺陷的深度信息。随着无损检测技术朝着精细化、可视化方向快速发展，缺少缺陷深度信息这一重要参数的单对电极电容成像检测面临着诸多弊端；虽然单对电极电容成像检测技术在多次提离高度下能在一定程度上反映非导体内部缺陷的深度信息，检测过程中需要把导体材料放在非导体材料的下面，反映的缺陷深度信息也只有非导体材料的上部或下部两种信息；而且对同一缺陷进行多次扫描时需要花费较多的时间，效率较低；同时单对电极电容成像检测技术在多次提离高度下检测缺陷时，需要精准把握提离高度的变化范围，如果提离高度把握不准确，会对非导体材料内部缺陷的深度信息产生误判，造成检测结果不准确。

因此，有必要提出一种能细化非导体内部缺陷深度信息、效率高、检测准确的非导体内部缺陷深度判别方法。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度信息的方法，通过结合多对电极对间的检测结果、横纵坐标的变换及绘制曲线图实现非导体缺陷深度判别的方法，达到细化非导体内部缺陷深度信息、提高检测效率和提高检测准确率的目的。