[发明专利]一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法

权利要求书

1.一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法，应用于提离高度不变的情况下基于多对电极电容成像检测技术的检测信号，其特征在于，包括：

接收输入的多对电极电容成像检测信号，其中所述多对电极电容成像检测信号包含提离高度L下的各电极对(C₁、C₂……C_n)对含缺陷试件的检测信号(Y₁、Y₂、……Y_n)和同一提离高度L下的各电极对(C₁、C₂……C_n)对同一材质无缺陷试件的检测信号(YS₁、YS₂、……YS_n)；

对所述多对电极电容成像缺陷检测信号求缺陷信号变化值△Y_n＝Y_n-YS_n， 并同时判断多对电极电容成像缺陷信号变化值△Y_n是否大于等于预设阀值P_n；如果否，则判断缺陷不存在；如果是，则判断缺陷存在；

对缺陷信号Y_n所对应的横坐标X_n进行坐标变换，变换后的横坐标为HX_n＝X_n-d_n/2，其中d₁、d₂……d_n为各电极对(C₁、C₂……C_n)的中心距；对缺陷信号Y_n进行变换，变换后的纵坐标为HY_n＝Y_n./YS_n；并根据横坐标HX_n与纵坐标HY_n绘制曲线图；

当缺陷所对应曲线图的波谷个数为1时，确定各电极对(C₁、C₂……C_n)中的最大电极对编号C_a，其中1≤a≤n；当同一缺陷所对应曲线图的波谷个数为2时，确定各电极对(C₁、C₂……C_n)中的最小电极对编号C_b，其中1≤b≤n；则判定此缺陷的深度位于电极对C_a与电极对C_b的有效检测深度之间。

2.根据权利要求1所述的一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法，其特征在于，所述接收输入的多对电极电容成像检测信号之后，包括：

根据多电极对(C₁、C₂……C_n)检测无缺陷试件的检测信号(YS₁、YS₂、……YS_n)获取各多电极对(C₁、C₂……C_n)动态的预设阀值(P₁、P₂……P_n)。

3.根据权利要求1所述的一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法，其特征在于，对所述多对电极电容成像缺陷检测信号求缺陷信号变化值△Y_n＝Y_n-YS_n，包括：

对所述多对电极电容成像缺陷检测信号求缺陷信号变化值△Y_n＝Y_n-YS_n包括借助excel软件求缺陷信号变化量、mathtype软件求缺陷信号变化量、labview软件求缺陷信号变化量和matlab软件编程求缺陷信号变化量。