[发明专利]半导体装置封装以及其制造方法有效
| 申请号： | 201810295824.4 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108807435B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 何信颖;詹勋伟;林琮崳 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置封装包括载体、设置在所述载体上的半导体装置和设置在所述半导体装置上的盖。所述盖与所述载体隔开第一距离。所述盖包括基底部分、从所述基底部分朝向所述半导体装置延伸的第一接脚和透明部分。所述第一接脚与所述载体隔开第二距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置封装，所述半导体装置封装包括：载体；设置在所述载体上的半导体装置；以及设置在所述半导体装置上的盖，所述盖与所述载体隔开第一距离，所述盖包括：基底部分；从所述基底部分朝向所述半导体装置延伸的第一接脚，所述第一接脚与所述载体隔开第二距离；以及透明部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
