[发明专利]半导体装置封装以及其制造方法有效
申请号: | 201810295824.4 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108807435B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 何信颖;詹勋伟;林琮崳 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置封装,所述半导体装置封装包括:
载体;
设置在所述载体上的半导体装置;以及
设置在所述半导体装置上的盖,所述盖与所述载体隔开第一距离,所述盖包括:
基底部分,所述基底部分包括第一部分及与所述第一部分水平连接的第二部分,所述第一部分具有钩状结构;
从所述基底部分的所述第一部分及所述第二部分二者正下方朝向所述半导体装置延伸的第一接脚,所述第一接脚的内侧表面自所述基底部分的所述第一部分的第一底表面沿着所述第二部分的下方内侧表面平顺地延伸,所述第一接脚与所述载体隔开第二距离;以及
透明部分,
其中所述基底部分与所述透明部分形成整体以作为单块结构,所述透明部分受到所述基底部分的钩状结构固锁,
其中所述透明部分部分地嵌入所述基底部分的所述第一部分中,所述透明部分的顶表面为平面,且所述透明部分的底表面包括平面部分及被所述平面部分环绕的弯曲部分,以有效调整自所述透明部分至所述半导体装置主动面的焦距,
其中所述基底部分的所述第一部分具有第一顶表面且所述基底部分的所述第二部分具有第二顶表面,所述基底部分的所述第一顶表面低于所述透明部分的所述顶表面,所述基底部分的所述第二顶表面高于所述透明部分的所述顶表面,且所述基底部分的所述第二顶表面的表面面积大于所述透明部分的所述顶表面的表面面积,使得所述透明部分被围绕在所述基底部分中间,
其中所述基底部分的所述第一部分的所述第一顶表面及所述第二部分的上方内侧表面界定上凹口,所述基底部分的所述第一部分的所述第一底表面及所述第二部分的所述下方内侧表面界定下凹口,且所述上凹口的尺寸大于所述下凹口的尺寸,使得光易于自所述上凹口进入且易于自所述下凹口聚焦至所述半导体装置。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第二距离大于所述第一距离,所述第一距离小于200μm,且其中所述第一接脚远离所述半导体装置的导线。
3.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其中所述透明部分的所述顶表面高于所述第一部分的所述顶表面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第一接脚接触所述半导体装置。
5.根据权利要求1所述的半导体装置封装,所述半导体装置封装还包括设置在所述半导体装置上的支撑件。
6.根据权利要求5所述的半导体装置封装,其中所述第一接脚接触所述支撑件。
7.根据权利要求5所述的半导体装置封装,其中所述支撑件包括接触所述半导体装置的间隔件。
8.根据权利要求7所述的半导体装置封装,所述半导体装置封装还包括设置在所述半导体装置上并且邻近于所述间隔件的粘合剂。
9.根据权利要求1所述的半导体装置封装,所述半导体装置封装还包括设置在所述盖与所述载体之间的粘合剂。
10.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述盖还包括从所述基底部分朝向所述半导体装置延伸的第二接脚,其中所述第一接脚具有的高度等于所述第二接脚具有的高度。
11.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述半导体装置是光传感器或发射体。
12.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述盖包括不透光材料。
13.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述盖包括透明材料。
14.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述盖还包括从所述基底部分的所述第二部分正下方朝向所述半导体装置延伸的第三接脚,其中所述第二部分的最外侧表面与所述第三接脚的最外侧表面共面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810295824.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:摄像装置及照相机系统
- 下一篇:半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的