[发明专利]半导体装置封装以及其制造方法有效
申请号: | 201810295824.4 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108807435B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 何信颖;詹勋伟;林琮崳 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 封装 及其 制造 方法 | ||
半导体装置封装包括载体、设置在所述载体上的半导体装置和设置在所述半导体装置上的盖。所述盖与所述载体隔开第一距离。所述盖包括基底部分、从所述基底部分朝向所述半导体装置延伸的第一接脚和透明部分。所述第一接脚与所述载体隔开第二距离。
本申请要求2017年4月26日提交的美国临时申请No.62/490,571的权利和优先权,所述美国临时申请的内容以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开涉及包含邻近于载体的盖的半导体装置封装,并且涉及包含具有第一长度的第一延伸部分和具有第二长度的第二延伸部分的盖的半导体装置封装,所述第一延伸部分的所述第一长度大于所述第二延伸部分的所述第二长度。
背景技术
一些半导体装置封装包含半导体装置(例如,传感器、裸片或芯片)、盖和设置在盖上的透镜。然而,半导体装置封装的性能可由于在制造半导体装置封装的过程期间的不准确性(例如,组件之间的未对准大于组件的制造公差)而恶化。
发明内容
在一些实施例中,根据一个方面,一种半导体装置封装包含载体、设置在所述载体上的半导体装置和设置在所述半导体装置上的盖。所述盖与所述载体隔开第一距离。所述盖包含基底部分、从所述基底部分朝向所述半导体装置延伸的第一接脚和透明部分。所述第一接脚与所述载体隔开第二距离。
在一些实施例中,根据另一方面,一种半导体装置封装包含载体、设置在上所述载体上的半导体装置模块和覆盖并且包围所述半导体装置模块的盖。所述盖包含基底部分、从所述基底部分朝向所述半导体装置模块延伸的接脚和透明部分。所述接脚接触所述半导体装置模块。
在一些实施例中,根据另一方面,一种半导体装置封装包含载体、设置在所述载体上的半导体装置和邻近于所述载体的盖。所述盖包含基底部分、具有第一长度的第一延伸部分、具有第二长度的第二延伸部分以及透明部分。所述第一延伸部分和所述第二延伸部分从所述基底部分朝向所述载体延伸。所述第一延伸部分的所述第一长度大于所述第二延伸部分的所述第二长度。
在一些实施例中,根据另一方面,一种用于制造半导体装置封装的方法包含:提供载体和半导体装置模块;以及在所述半导体装置模块上提供盖,所述盖与所述载体隔开间隙。所述盖包含朝向所述半导体装置模块突出的多个接脚。所述多个接脚接触所述半导体装置模块。
附图说明
图1A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面图。
图1B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面图。
图1C说明根据本公开的一些实施例的盖的立体图。
图1D说明根据本公开的一些实施例的盖的立体图。
图1E说明根据本公开的一些实施例的盖的立体图。
图2A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面图。
图2B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面图。
图3说明根据本公开的一些实施例的制造半导体装置封装的方法。
图4说明根据本公开的一些实施例的制造半导体装置封装的方法。
图5说明对比半导体装置封装的截面图。
具体实施方式
贯穿图式和实施方式使用共同参考数字以指示相同或相似组件。从结合附图的以下详细描述将更容易理解本公开的实施例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的