[发明专利]功率模块及其制造方法有效
| 申请号: | 201810270703.4 | 申请日: | 2018-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN110323142B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
| 发明(设计)人: | 洪守玉;徐海滨;程伟;王涛;赵振清 | 申请(专利权)人: | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/495;H01L25/07 |
| 代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 邢雪红;王卫忠 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | 本公开涉及一种功率模块及其制造方法。该功率模块包括开关元件组、塑封外壳以及连接件,其中,开关元件组包括至少一开关元件对;塑封外壳用于封装所述开关元件组;连接件包括信号端子,电性耦接至开关元件组的信号端,并从塑封外壳扇出;以及功率端子,电性耦接至开关元件组的功率端,并从塑封外壳扇出,功率端子包括正极功率端子、负极功率端子以及输出功率端子,其中,正极功率端子和负极功率端子分别为至少部分层叠的第一金属层和第二金属层,并且第一金属层与第二金属层之间设置有绝缘层。本公开通过将功率端子层叠设置,从而大大的降低功率模块的寄生电感。 | ||
| 搜索关键词: | 功率 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种功率模块的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:提供一开关元件组,所述开关元件组包括至少一开关元件对;提供一连接件,所述连接件包括信号端子、功率端子及连接部,所述功率端子包括正极功率端子、负极功率端子以及输出功率端子,所述连接部将所述信号端子、所述正极功率端子、所述负极功率端子及所述输出功率端子连接为一个整体,其中,所述正极功率端子和所述负极功率端子分别为第一金属层和第二金属层,所述第一金属层与所述第二金属层至少部分层叠,并且所述第一金属层与所述第二金属层之间设置有绝缘层;将所述连接件与所述开关元件组电性耦接在一起,其中,将所述信号端子电性耦接至所述开关元件组的信号端,所述功率端子电性耦接至所述开关元件组的功率端;提供一塑封外壳,将所述开关元件组进行塑封,并使所述信号端子和所述功率端子从所述塑封外壳扇出;以及裁剪所述连接件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





