[发明专利]具有具不同特征尺寸的图案的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供制造具有具不同特征尺寸的图案的半导体装置的方法。实例方法包含：刻蚀图案化掩模下面的第一膜层以在第二膜层上形成第一及第二特征；在第二膜层上形成邻近于第一及第二特征的侧壁的各个第一及第二间隔物；移除第一及第二特征以暴露第二膜层的各个第一及第二部分，第二部分相较于第一部分具有较大CD；控制刻蚀工艺，使得第一部分被刻蚀贯穿且第二部分受到刻蚀工艺期间所形成的保护膜保护而免受刻蚀；以及图案化由第一间隔物、第二间隔物以及第二部分遮蔽的薄膜以在薄膜的各个第一及第二区中形成较小特征以及较大特征。

主权项

1.一种图案化薄膜的方法，所述方法包括：刻蚀位于图案化掩模下的第一膜层，以在位于所述第一膜层下的第二膜层上形成第一特征以及第二特征，所述第二特征相较于所述第一特征具有较大临界尺寸；在所述第二膜层上形成邻近于所述第一特征的侧壁的第一间隔物以及邻近于所述第二特征的侧壁的第二间隔物；移除所述第一特征，以暴露所述第二膜层的第一部分，且移除所述第二特征，以暴露所述第二膜层的第二部分，所述第二部分相较于所述第一部分具有较大临界尺寸；控制刻蚀工艺，使得所述第二膜层的所述第一部分经刻蚀贯穿，且所述第二膜层的所述第二部分受在所述刻蚀工艺期间形成的保护膜保护而免受刻蚀；以及图案化由所述第一间隔物遮蔽的所述薄膜的第一区以在所述第一区中形成较小特征，且图案化由所述第二部分以及所述第二间隔物遮蔽的所述薄膜的第二区，以在所述第二区中形成较大特征。