[发明专利]反相器钳位的灵敏放大器电路有效
| 申请号： | 201810251693.X | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108389598B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 刘芳芳;邵博闻 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反相器钳位的灵敏放大器电路，第一、二PMOS晶体管的源极与电源电压端相连接，第一PMOS晶体管的栅极和漏极与第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的漏极相连接；第一NMOS晶体管的源极与第一压控电流源的正端、第一电容的一端相连接；第二PMOS晶体管的漏极与第一比较器的反向输入端、第二NMOS晶体管的漏极相连接；第二NMOS晶体管的源极与第二压控电流源的正端、第二电容的一端相连接；第一、二压控电流源的负端和第一、二电容的另一端接地；第一、二NMOS晶体管的栅极输入反馈电压；第一比较器的正向输入端输入参考电压VREF，其输出端作为电路的输出端。本发明能够增加读裕量。 | ||
| 搜索关键词： | 反相器钳位 灵敏 放大器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种反相器钳位的灵敏放大器电路，其特征在于：由两个PMOS晶体管、两个NMOS晶体管、两个压控电流源、两个电容、一个比较器组成；第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，第一PMOS晶体管的栅极和漏极与第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为VE；第一NMOS晶体管的源极与第一压控电流源的正端、第一电容的一端相连接；第一压控电流源的负端和第一电容的另一端接地；第二PMOS晶体管的漏极与第一比较器的反向输入端、第二NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为VF；第二NMOS晶体管的源极与第二压控电流源的正端、第二电容的一端相连接；第二压控电流源的负端和第二电容的另一端接地；第一NMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极输入反馈电压；第一比较器的正向输入端输入参考电压VREF，其输出端作为电路的输出端SOUT。
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