[发明专利]反相器钳位的灵敏放大器电路

说明书

本发明公开了一种反相器钳位的灵敏放大器电路，第一、二PMOS晶体管的源极与电源电压端相连接，第一PMOS晶体管的栅极和漏极与第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的漏极相连接；第一NMOS晶体管的源极与第一压控电流源的正端、第一电容的一端相连接；第二PMOS晶体管的漏极与第一比较器的反向输入端、第二NMOS晶体管的漏极相连接；第二NMOS晶体管的源极与第二压控电流源的正端、第二电容的一端相连接；第一、二压控电流源的负端和第一、二电容的另一端接地；第一、二NMOS晶体管的栅极输入反馈电压；第一比较器的正向输入端输入参考电压VREF，其输出端作为电路的输出端。本发明能够增加读裕量。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种反相器钳位的灵敏放大器(SA)电路。

背景技术

灵敏放大器应用于NVM Memory(非易失性存储器)读电路。一般的SA电路应用反相器作为读模式下BL(漏极)的钳位反馈电路。

参见图1所示，现有的反相器钳位的灵敏放大器电路，由四个PMOS晶体管MP0～MP3、两个NMOS晶体管MN0、MN1，两个反相器FB1、FB2，两个电容C1、C2，两个压控电流源VD0、VD1，一个比较器CMP1组成。

PMOS晶体管MP0～MP3的源极与电源电压端VDD相连接，PMOS晶体管MP0的漏极与PMOS晶体管MP1的漏极和栅极、PMOS晶体管MP2的栅极、NMOS晶体管MN0的漏极相连接，其连接的节点记为VE。NMOS晶体管MN0的源极与反相器FB1的输入端、压控电流源VD0的正端和电容C1的一端相连接；压控电流源VD0的负端和电容C1的另一端接地GND。反相器FB1的输出端与NMOS晶体管MN0的栅极相连接。

PMOS晶体管MP2的漏极与PMOS晶体管MP3的漏极、NMOS晶体管MN1的漏极、比较器CMP1的反向输入端相连接，其连接的节点记为VF。

NMOS晶体管MN1的源极与反相器FB2的输入端、压控电流源VD1的正端和电容C2的一端相连接；压控电流源VD1的负端和电容C2的另一端接地GND。反相器FB2的输出端与NMOS晶体管MN1的栅极相连接。

比较器CMP1的正向输入端输入参考电压VREF，其输出端作为电路的输出端SOUT。

PMOS晶体管MP0、MP3的栅极输入准备信号PREB。

上述灵敏放大器钳位电路的工作原理是：

电路工作在电源电压VDD范围较大的1.7V～5.5V之间；在稳定后的节点VE端的电压下，参考存储单元CKDY提供大电流(相当于0”单元)与存储单元CCDY的电流进行比较。参考存储单元CKDY在图1中由电容C1和压控电流源VD0构成，存储单元CCDY由电容C2和压控电流源VD1构成。

读“0”单元时，节点VF电压为高电平；读“1”单元时，节点VF电压为低电平。

如图1所示，这种传统的反相器钳位的灵敏放大器电路中为将压控电流源VD0、VD1稳定在1.2V左右，一般会用一个反相器作为反馈电路，如图1中的反相器FB1、FB2。

上述反相器钳位的灵敏放大器电路存在的缺点是：随着温度电压和工艺的变化，反馈电压范围会变大，导致读的裕量变小

上述反相器钳位的灵敏放大器电路的波形图参见图2所示。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种反相器钳位的灵敏放大器电路，能够增加读裕量。

为解决上述技术问题，本发明的反相器钳位的灵敏放大器电路，由两个PMOS晶体管、两个NMOS晶体管、两个压控电流源、两个电容、一个比较器组成；