[发明专利]反相器钳位的灵敏放大器电路

权利要求书

1.一种反相器钳位的灵敏放大器电路，其特征在于：由两个PMOS晶体管、两个NMOS晶体管、两个压控电流源、两个电容、一个比较器组成；

第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，第一PMOS晶体管的栅极和漏极与第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为VE；第一NMOS晶体管的源极与第一压控电流源的正端、第一电容的一端相连接；第一压控电流源的负端和第一电容的另一端接地；

第二PMOS晶体管的漏极与第一比较器的反向输入端、第二NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为VF；第二NMOS晶体管的源极与第二压控电流源的正端、第二电容的一端相连接；第二压控电流源的负端和第二电容的另一端接地；

第一NMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极输入反馈电压；

第一比较器的正向输入端输入参考电压VREF，其输出端作为电路的输出端SOUT；

还包括一反馈电路，其由第四PMOS晶体管～第七PMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管组成；

第四PMOS晶体管的源极和第五PMOS晶体管的源极相连接，第四PMOS晶体管的漏极与第六PMOS晶体管的源极相连接，第六PMOS晶体管的漏极与第三NMOS晶体管的漏极和栅极相连接，其连接的节点作为反馈电压输出端FK，第三NMOS晶体管的源极接地GND；

第四PMOS晶体管的栅极与所述节点VE相连接，第六PMOS晶体管的栅极输入读信号READB，第五PMOS晶体管的栅极输入准备信号PREB；

第五PMOS晶体管的漏极与第七PMOS晶体管的源极相连接，第七PMOS晶体管的漏极和第四NMOS晶体管的漏极与反馈电压输出端FK相连接，第四NMOS晶体管的源极接地GND；

第七PMOS晶体管的栅极和第四NMOS晶体管的栅极与所述第一压控电流源的正端相连接。

2.如权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于；当准备信号PREB为低时，反馈电压FK为高电平，节点VE端的电压稳定；准备信号PREB结束后，灵敏放大器电路进入比较工作状态，第五PMOS晶体管关闭，第四PMOS晶体管和第六PMOS晶体管此时流经电流稳定为参考存储单元电流。

3.如权利要求2所述的灵敏放大器电路，其特征在于；由参考存储单元提供的稳定电流充放电第四NMOS晶体管，能减小读模式下漏极的电压变化范围，增加读的裕量。

4.如权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于；第三NMOS晶体管能保证反馈电压FK不会拉低至零，而导致第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管完全关闭。