[发明专利]半导体电路在审

专利信息
申请号: 201810245035.X 申请日: 2018-03-23
公开(公告)号: CN108627758A 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 中下贵雄 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王岳;闫小龙
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体电路。半导体电路是将所施加的输入电压变换为期望的输出电压并从电压输出端子输出的电路,并且,在电压输出端子与接地端子之间串联连接第一电阻、第二电阻和第三电阻,在开关为断开状态的情况下,输出利用第二电阻和第三电阻的合成电阻以及第一电阻分压后的电压的输出电压,在开关为闭合状态的情况下,输出利用第二电阻和第一电阻分压后的电压的输出电压。具有根据来自外部的控制信号来控制分压电阻的电阻值的结构。
搜索关键词: 电阻 半导体电路 输出电压 电压输出端子 电阻分压 输出 闭合状态 断开状态 分压电阻 合成电阻 接地端子 控制信号 输入电压 电路 施加 期望 外部
【主权项】:
1.一种半导体电路,具备MOS晶体管、运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、外部端子、以及开关,将所施加的输入电压变换为期望的输出电压,并从电压输出端子输出,其中,在所述电压输出端子与接地端子之间按照所述第一电阻、所述第二电阻和所述第三电阻的顺序串联连接所述第一电阻、所述第二电阻和所述第三电阻,所述MOS晶体管具有:连接于被施加所述输入电压的输入电压端子的源极端子、以及连接于所述电压输出端子的漏极端子,所述运算放大器具有:被施加基准电压的非反相输入端子、被施加所述第一电阻与所述第二电阻的连接点的电压的反相输入端子、以及连接有所述MOS晶体管的栅极端子的输出端子,所述开关与所述第三电阻并联连接,具备连接于所述外部端子的控制端子,当所述开关根据向所述外部端子输入的信号而为断开状态时,基于利用所述第二电阻和所述第三电阻的合成电阻以及所述第一电阻分压后的电压,从所述电压输出端子输出所述输出电压,当所述开关根据向所述外部端子输入的信号而为闭合状态时,基于利用所述第二电阻和所述第一电阻分压后的电压,从所述电压输出端子输出所述输出电压。
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