[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201810238635.3 | 申请日: | 2015-09-30 |
公开(公告)号: | CN108461427B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 宫崎邦浩;南健治;长岛裕次;林航之介 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 白丽 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供可以实现处理性能的提高及处理液使用量的降低的基板处理装置及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(1)具备:将双氧水的沸点以上的第1温度的硫酸溶液供给至基板(W)的第1溶液供给部(3a);将作为硫酸溶液及双氧水的混合液且比第1温度低的第2温度的混合液供给至所述基板(W)的处理对象面(Wa)的第2溶液供给部(3b);以及控制部(5),该控制部按照使基板(W)的温度达到双氧水的沸点以上的方式使第1溶液供给部(3a)供给第1温度的硫酸溶液、在基板(W)的温度达到第2温度以上时,使第1溶液供给部(3a)停止第1温度的硫酸溶液的供给、使第2溶液供给部(3b)供给第2温度的混合液。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,其具备:将双氧水的沸点以上的第1温度的硫酸溶液供给至基板的第1溶液供给部;将作为硫酸溶液及双氧水的混合液且比所述第1温度低的第2温度的混合液供给至所述基板的处理对象面的第2溶液供给部;以及控制部,该控制部按照使所述基板的温度达到所述双氧水的沸点以上的方式使所述第1溶液供给部供给所述第1温度的硫酸溶液,在所述基板的温度达到所述第2温度以上时,使所述第1溶液供给部停止所述第1温度的硫酸溶液的供给,使所述第2溶液供给部供给所述第2温度的混合液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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