[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201810238635.3 | 申请日: | 2015-09-30 |
公开(公告)号: | CN108461427B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 宫崎邦浩;南健治;长岛裕次;林航之介 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 白丽 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,其为使用硫酸溶液及双氧水的混合液处理基板的基板处理装置,其具有:
将所述双氧水的沸点以上的第1温度的硫酸溶液供给至所述基板的处理对象面的第1溶液供给部;
将比所述第1温度低且比所述双氧水的沸点低的第2温度的所述混合液供给至所述基板的处理对象面的第2溶液供给部;以及
控制部,
其中,对于所述第1溶液供给部,所述控制部按照使所述基板的温度达到所述双氧水的沸点以上的方式使所述第1温度的硫酸溶液供给至所述基板的处理对象面,在所述基板的温度达到所述双氧水的沸点以上时,使所述第1温度的硫酸溶液的供给停止,对于所述第2溶液供给部,所述控制部使所述第2温度的混合液供给至所述基板的处理对象面,
通过所述双氧水的沸点以上的温度的所述基板,所述混合液为在所述基板的处理对象面中所述双氧水的沸点以上的温度。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,其具有:
储存所述硫酸溶液的第1储存部;
使所述第1储存部内的所述硫酸溶液循环的循环管;
储存所述双氧水的第2储存部;
对储存于所述第1储存部内的所述硫酸溶液进行加热的第1加热部;以及
各自连接于所述循环管且储存于所述第1储存部内的所述硫酸溶液流过的第1供给管和第2供给管,
其中,所述第1溶液供给部含有所述第1供给管,
所述第2溶液供给部含有所述第2供给管,
所述第1供给管中具有对流过其内部的所述硫酸溶液进行加热的第2加热部,
储存于所述第2储存部的所述双氧水流过的混合管连接于所述第2供给管。
3.一种基板处理装置,其特征在于,其为使用硫酸溶液及双氧水的混合液处理基板的基板处理装置,其具有:
将所述双氧水的沸点以上的规定的基板处理温度以上的温度的硫酸溶液供给至所述基板的处理对象面的相反面的溶液供给部;
比被供给至所述基板的处理对象面的相反面的所述硫酸溶液的温度低且比所述双氧水的沸点低的温度的所述混合液供给至所述基板的处理对象面的溶液供给部;以及
控制部,
其中,对于供给所述硫酸溶液的溶液供给部,所述控制部按照使所述基板的温度达到所述基板处理温度以上的方式将所述双氧水的沸点以上的所述规定的基板处理温度以上的温度的硫酸溶液供给至所述基板的处理对象面的相反面,在所述基板的温度达到所述基板处理温度以上时,对于供给所述混合液的溶液供给部,所述控制部使比所述硫酸溶液的温度低的温度的所述混合液供给至所述基板的所述处理对象面,
通过所述双氧水的沸点以上的温度的所述基板,所述混合液为在所述基板的处理对象面中所述双氧水的沸点以上的温度。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,其具有:
储存所述硫酸溶液的第1储存部;
使所述第1储存部内的所述硫酸溶液循环的循环管;
储存所述双氧水的第2储存部;
对储存于所述第1储存部内的所述硫酸溶液进行加热的第1加热部;以及
各自连接于所述循环管且储存于所述第1储存部内的所述硫酸溶液流过的第2供给管和第3供给管,
其中,供给所述混合液的溶液供给部含有所述第2供给管,
供给所述硫酸溶液的溶液供给部含有所述第3供给管,
所述第3供给管中具有对流过其内部的所述硫酸溶液进行加热的第3加热部,
储存于所述第2储存部的所述双氧水流过的混合管连接于所述第2供给管。
5.一种基板处理方法,其特征在于,其为使用硫酸溶液及双氧水的混合液处理基板的基板处理方法,其具备以下工序:
将所述双氧水的沸点以上的第1温度的硫酸溶液供给至所述基板的处理对象面、使所述基板的温度为所述双氧水的沸点以上的工序;和
当所述基板的温度达到所述双氧水的沸点以上时、停止所述第1温度的硫酸溶液的供给、将比所述第1温度低且比所述双氧水的沸点低的第2温度的所述混合液供给至所述基板的处理对象面的工序,
通过所述双氧水的沸点以上的温度的所述基板,所述混合液为在所述基板的处理对象面中所述双氧水的沸点以上的温度。
6.一种基板处理方法,其特征在于,其为使用硫酸溶液及双氧水的混合液处理基板的基板处理方法,其具备以下工序:
将所述双氧水的沸点以上的规定的基板处理温度以上的温度的硫酸溶液供给至所述基板的处理对象面的相反面、使所述基板的温度为所述基板处理温度以上的工序,和
当所述基板的温度达到所述基板处理温度以上时、将比被供给至所述基板的处理对象面的相反面的所述硫酸溶液的温度低且比所述双氧水的沸点低的温度的所述混合液供给至所述基板的处理对象面的工序,
通过所述双氧水的沸点以上的温度的所述基板,所述混合液为在所述基板的处理对象面中所述双氧水的沸点以上的温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造