[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

本发明提供可以实现处理性能的提高及处理液使用量的降低的基板处理装置及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(1)具备：将双氧水的沸点以上的第1温度的硫酸溶液供给至基板(W)的第1溶液供给部(3a)；将作为硫酸溶液及双氧水的混合液且比第1温度低的第2温度的混合液供给至所述基板(W)的处理对象面(Wa)的第2溶液供给部(3b)；以及控制部(5)，该控制部按照使基板(W)的温度达到双氧水的沸点以上的方式使第1溶液供给部(3a)供给第1温度的硫酸溶液、在基板(W)的温度达到第2温度以上时，使第1溶液供给部(3a)停止第1温度的硫酸溶液的供给、使第2溶液供给部(3b)供给第2温度的混合液。

本申请是申请日为2015年09月30日、发明名称为“基板处理装置及基板处理方法”的中国申请号为201510639612.X的分案申请。

技术领域

本发明的实施方式涉及基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

半导体或液晶面板等的制造工序中，使用对晶片或液晶基板等基板的处理对象面供给处理液、对处理对象面进行处理的基板处理装置。在该基板处理装置中，开发了以水平状态旋转基板、向处理对象面的大致中央处供给处理液、利用离心力将该处理液扩展在处理对象面上的旋转处理装置。进而，还开发了回收曾经用过的处理液进行再利用的旋转处理装置。

利用这种基板处理装置，例如在除去基板的处理对象面上的抗蚀剂时，利用作为处理液使用SPM(硫酸溶液及双氧水的混合液)的SPM处理。利用该SPM处理的基板的单片式处理有将硫酸溶液及双氧水混合之后供给至基板上的方法或者在基板上混合硫酸溶液及双氧水的方法等。另外，对抗蚀剂除去后的基板进行水洗及干燥或者在该水洗之后利用其它处理液进行处理、再次进行水洗及干燥之后，运送至下一个工序。

所述仅使用SPM的SPM处理中，有时处理变得不充分。例如，当向基板的处理对象面进行离子注入时，该离子注入后由于抗蚀剂膜的表面发生固化(变质)，因此难以通过SPM处理将该已经固化的抗蚀剂除去、在基板上产生抗蚀剂的残渣。因此，为了提高处理性能，有时使用高温(例如160℃等)的SPM对基板进行处理。

但是，由于双氧水越是高温、则寿命变得越短，因此当混合在硫酸溶液中变成高温时，在到达基板之前进行分解、处理性能的提高变得不充分。因此，当按照双氧水残存的方式将大量的双氧水混合在硫酸溶液中时，硫酸溶液变稀，因此难以对处理液进行再利用、总的处理液使用量增加。另外，当对高温的硫酸溶液和双氧水进行混合时，它们不会充分地混合、而是发生双氧水的暴沸、即H₂O₂的H₂O的暴沸(激烈的沸腾)、双氧水会消失。详细地说，由于高温的硫酸溶液(160℃)与双氧水接触，双氧水成分的H₂O在硫酸溶液的温度下急剧地沸腾。通过该现象，在与硫酸溶液进行混合之前、双氧水消失，因此不会生成过一硫酸及过二硫酸、即有助于抗蚀剂剥离的氧化性物质，因而有时处理性能的提高变得不充分。由此出发，期待处理性能的提高及处理液使用量的减少。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于提供可以实现处理性能的提高及处理液使用量的减少的基板处理装置及基板处理方法。

实施方式的基板处理装置具备：将双氧水的沸点以上的第1温度的硫酸溶液供给至基板的第1溶液供给部；将作为硫酸溶液及双氧水的混合液且比第1温度低的第2温度的混合液供给至基板的处理对象面的第2溶液供给部；以及控制部，上述控制部按照使基板的温度达到双氧水的沸点以上的方式使第1溶液供给部给供第1温度的硫酸溶液，在基板的温度达到第2温度以上时，使第1溶液供给部停止第1温度的硫酸溶液的供给、使第2溶液供给部供给第2温度的混合液。

实施方式的基板处理方法具有以下工序：将双氧水的沸点以上的第1温度的硫酸溶液供给至基板、使基板的温度达到双氧水的沸点以上的工序；和当基板的温度成为双氧水的沸点以上时、停止第1温度的硫酸溶液的供给、将作为硫酸溶液及双氧水的混合液且比第1温度低的第2温度的混合液供给至基板的处理对象面的工序。