[发明专利]集成电路结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810203742.2 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110176452B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王子嵩 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/525;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种集成电路结构及其制造方法，该集成电路结构包括基底、堆叠结构与多个第一接触窗。堆叠结构设置于基底上，且包括交错堆叠设置的多个第一介电层与多个导体层。堆叠结构具有贯穿导体层的多个开口。第一接触窗位于开口中。第一接触窗的底部位于不同高度位置。第一接触窗与导体层以一对一的方式进行电连接。互不电连接的第一接触窗与导体层彼此隔离设置。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，其特征在于，包括：基底；堆叠结构，设置于所述基底上，且包括交错堆叠设置的多个第一介电层与多个导体层，其中所述堆叠结构具有贯穿所述多个导体层的多个开口；以及多个第一接触窗，位于所述多个开口中，其中所述多个第一接触窗的底部位于不同高度位置，所述多个第一接触窗与所述多个导体层以一对一的方式进行电连接，且互不电连接的所述多个第一接触窗与所述多个导体层彼此隔离设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
