[发明专利]集成电路结构及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，其特征在于，包括：

基底；

堆叠结构，设置于所述基底上，且包括交错堆叠设置的多个第一介电层与多个导体层，其中所述堆叠结构具有贯穿所述多个导体层的多个开口；以及

多个第一接触窗，位于所述多个开口中，其中所述多个第一接触窗的底部位于不同高度位置，所述多个第一接触窗与所述多个导体层以一对一的方式进行电连接，且互不电连接的所述多个第一接触窗与所述多个导体层彼此隔离设置；以及

多个第二介电层，设置于所述多个开口中，其中所述多个第一接触窗位于所述多个第二介电层上，

其中所述多个第一接触窗直接接触所述多个第二介电层。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中所述多个导体层的材料包括掺杂多晶硅；或者所述多个导体层的材料包括金属。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其中所述多个第一接触窗的排列方式包括二维排列或一维排列。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

多个第三介电层，设置于所述多个开口中，且位于所述多个导体层与所述多个第一接触窗之间，其中所述多个第三介电层的底部位于不同高度位置。

5.如权利要求4所述的集成电路结构，还包括：

多个隔离层，其中每个隔离层设置于相邻两个第一介电层之间，且所述多个隔离层中的一部分位于所述多个导体层与所述多个第三介电层之间。

6.如权利要求4所述的集成电路结构，其中每个第三介电层还延伸至相邻两层第一介电层之间。

7.如权利要求1所述的集成电路结构，其中所述多个第一接触窗不电连接至所述多个导体层中的最上层。

8.如权利要求7所述的集成电路结构，还包括：

多个第二接触窗，分别电连接于所述多个导体层中的最上层与所述多个第一接触窗。

9.如权利要求8所述的集成电路结构，还包括：

第四介电层，覆盖所述堆叠结构与所述多个第一接触窗，且所述多个第二接触窗位于所述第四介电层中。

10.一种集成电路结构的制造方法，其特征在于，包括：

在基底上形成堆叠结构，其中所述堆叠结构包括交错堆叠设置的多个第一介电层与多个导体层，且具有贯穿所述多个导体层的多个开口；以及

在所述多个开口中形成多个第一接触窗，其中所述多个第一接触窗的底部位于不同高度位置，所述多个第一接触窗与所述多个导体层以一对一的方式进行电连接，且互不电连接的所述多个第一接触窗与所述多个导体层彼此隔离设置；

在所述多个开口中形成多个第二介电层，其中所述多个第一接触窗位于所述多个第二介电层上，所述多个第一接触窗直接接触所述多个第二介电层。

11.如权利要求10所述的集成电路结构的制造方法，其中所述堆叠结构的形成方法包括：

在所述基底上交错地形成所述多个第一介电层与多个牺牲层；

在所述多个第一介电层与所述多个牺牲层中形成所述多个开口；以及

将所述多个牺牲层替换成所述多个导体层；

其中所述在所述多个开口中形成多个第二介电层包括：

形成填入所述多个开口的多个第二介电层。

12.如权利要求11所述的集成电路结构的制造方法，其中所述多个第一接触窗的形成方法包括：

对所述多个第二介电层进行多道光刻蚀刻制作工艺，而形成具有不同深度的多个接触窗开口；

在所述多个接触窗开口的侧壁上形成多个第三介电层，其中所述多个第三介电层的底部位于不同高度位置；

移除所述多个第三介电层下方的所述多个第二介电层的一部分，而暴露出所述多个导体层中的一部分；以及

在所述多个接触窗开口中形成所述多个第一接触窗。