[发明专利]一种薄膜晶体管及阵列基板的测量方法在审
| 申请号： | 201810202808.6 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108417507A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 黄乐 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及阵列基板的测量方法，包括：将薄膜晶体管放置在测量机台上的指定区域；确定并记录所述薄膜晶体管中漏极、源极和栅极的位置；分别采用目标激光除去所述漏极周围栅极金属线与源极金属线上方的钝化层，进而出现裸露栅极金属线与裸露源极金属线；使用三根测量探针分别接触漏极、裸露栅极金属线、裸露源极金属线；完成对所述薄膜晶体管的电学特性测量。本发明通过采用镭射激光除掉源极金属线及栅极金属线上方的钝化层，使得源极金属线与源极探针直接接触、栅极金属线与栅极探针直接接触，进而在电极端子受损的前提下也能完成薄膜晶体管的电学特性测量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 栅极金属线 源极金属 裸露 漏极 电学特性测量 阵列基板 钝化层 源极 测量 测量探针 电极端子 镭射激光 目标激光 栅极探针 测量机 除掉 探针 受损 记录 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的测量方法，用于对薄膜晶体管的电学特性进行测量，其特征在于，所述薄膜晶体管的测量方法包括：步骤S10、将薄膜晶体管放置在测量机台上的指定区域；步骤S20、确定并记录所述薄膜晶体管中漏极、源极和栅极的位置，所述栅极通过栅极金属线与栅极端子相连，所述源极通过源极金属线与源极端子相连；步骤S30、打开镭射机台，分别采用目标激光除去所述漏极周围所述栅极金属线与所述源极金属线上方的钝化层，进而出现裸露栅极金属线与裸露源极金属线，其中，所述钝化层覆盖于所述薄膜晶体管表面；步骤S40、使用三根测量探针分别接触漏极、裸露栅极金属线、裸露源极金属线；步骤S50、采用电性测量工艺完成对所述薄膜晶体管的电学特性测量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810202808.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
