[发明专利]一种薄膜晶体管及阵列基板的测量方法

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管及阵列基板的测量方法，包括：将薄膜晶体管放置在测量机台上的指定区域；确定并记录所述薄膜晶体管中漏极、源极和栅极的位置；分别采用目标激光除去所述漏极周围栅极金属线与源极金属线上方的钝化层，进而出现裸露栅极金属线与裸露源极金属线；使用三根测量探针分别接触漏极、裸露栅极金属线、裸露源极金属线；完成对所述薄膜晶体管的电学特性测量。本发明通过采用镭射激光除掉源极金属线及栅极金属线上方的钝化层，使得源极金属线与源极探针直接接触、栅极金属线与栅极探针直接接触，进而在电极端子受损的前提下也能完成薄膜晶体管的电学特性测量。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体及阵列基板的测量方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。TFT-LCD阵列基板是TFT-LCD的重要部件之一。在阵列基板上形成有横纵交叉的栅线和数据线，限定多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)、像素电极和公共电极，TFT的漏电极和像素电极电性连接，源电极和数据线电性连接，栅电极和栅线电性连接。数据线上传输的像素电压通过薄膜晶体管输出至像素电极，像素电极与公共电极配合，形成驱动液晶分子偏转的驱动电场，实现特定灰阶的显示。

可见，TFT的电学特性直接影响TFT-LCD的显示品质，因此，在实际生产过程中，都需要对TFT的电学特性进行测量。其中，TFT的电学特性主要包括Ion(TFT工作电流)，Ioff(反向截止电流)，Vth(开启电压)，Mobility(迁移率)，每一个参数都非常重要。如图1所示，测量TFT电学特性的设备在测量时需要将对应的探针3与电极端子2接触，才能测量出电学特性值，如栅线(Gate)探针32与栅极端子12接触，数据(Data)探针31与源极端子11接触，像素(Pixel)探针33与漏电极或像素电极接触。通过Gate探针32加载0～20V，Data探针31加载15V电信号，进而通过Pixel探针33输出的信号获取TFT的电学特性值。目前实验室解析各种显示器亮度不均匀(mura)及显示不良均需要测量异常区域TFT的电学特性曲线，进而根据TFT的电学特性曲线特征推测所述TFT可能有异常的膜层，从而对推测异常的膜层采用扫描电镜进行深入分析，找出显示不良的根因。但是现有测量TFT电学特性曲线的方法具有以下特点：1、由于目前TFT在进行电学特性的测量过程中必须要保留完整的栅极端子12和源极端子11，栅极端子12和源极端子11均称为电极端子1，进而通过测量探针3与栅极端子12及源极端子11的接触，进而实现TFT电学特性的测量，若是栅极端子12和源极端子11中的其中一个被破坏，就无法进行TFT电学特性的测量；2、连接栅极与栅极端子12之间的线路、连接源极与源极端子11之间的线路容易发生挂上和压伤，进而影响测量结果；3、若因样片裂片失败需要重新开单申请取样的流程十分麻烦且耗时。因此，目前亟需一种能够解决上述问题的薄膜晶体管的测量方法。

发明内容

本发明提供了一种薄膜晶体管及阵列基板的测量方法，以解决在现有薄膜晶体管电学特性测量中电极端子受损或金属线路受损导致薄膜晶体管无法进行电学特性测量的问题。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

根据本发明的一个方面，提供了一种薄膜晶体管的测量方法，用于对薄膜晶体管的电学特性进行测量，所述薄膜晶体管的测量方法包括：

步骤S10、将薄膜晶体管放置在测量机台上的指定区域；

步骤S20、确定并记录所述薄膜晶体管中漏极、源极和栅极的位置，所述栅极通过栅极金属线与栅极端子相连，所述源极通过源极金属线与源极端子相连；