[发明专利]一种薄膜晶体管及阵列基板的测量方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的测量方法，用于对薄膜晶体管的电学特性进行测量，其特征在于，所述薄膜晶体管的测量方法包括：

步骤S10、将薄膜晶体管放置在测量机台上的指定区域；

步骤S20、确定并记录所述薄膜晶体管中漏极、源极和栅极的位置，所述栅极通过栅极金属线与栅极端子相连，所述源极通过源极金属线与源极端子相连；

步骤S30、打开镭射机台，分别采用目标激光除去所述漏极周围所述栅极金属线与所述源极金属线上方的钝化层，进而出现裸露栅极金属线与裸露源极金属线，其中，所述钝化层覆盖于所述薄膜晶体管表面；

步骤S40、使用三根测量探针分别接触漏极、裸露栅极金属线、裸露源极金属线；

步骤S50、采用电性测量工艺完成对所述薄膜晶体管的电学特性测量。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的测量方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为显示面板中异常显示区域部分所对应的薄膜晶体管。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的测量方法，其特征在于，所述漏极与所述漏极上方的电极层相连，所述源极和所述栅极的位置可以通过所述电极层的位置进而确定。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的测量方法，其特征在于，所述步骤S30的具体步骤包括：打开镭射机台，并设置镭射激光的能量值，采用所述镭射激光照射所述漏极周围的栅极金属线上方区域和所述源极金属线上方区域，所述镭射激光腐蚀所述栅极金属线和所述源极金属线上方区域的所述钝化层，直到所述栅极金属线及所述源极金属线露出。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的测量方法，其特征在于，所述镭射激光的能量值为70.2兆焦耳至80.2兆焦耳。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的测量方法，其特征在于，所述钝化层的制备材料为氮化硅。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的测量方法，其特征在于，所述测量探针包括栅极探针、源极探针和漏极探针，其中，在进行薄膜晶体管的测量过程中，所述栅极探针与所述栅极金属线接触，所述源极探针与所述源极金属线接触，所述漏极探针与所述漏极上方的电极层接触；

其中，所述步骤S50包括：对所述栅极探针和所述源极探针加载预设的电压，通过所述漏极探针输出的信号获取所述薄膜晶体管的电学特性值。

8.一种阵列基板的测量方法，用于对阵列基板中薄膜晶体管的电学特性进行测量，其特征在于，所述阵列基板的测量方法包括：

步骤S10、将阵列基板放置在测量机台上，并将所述阵列基板异常工作区域对应的所述薄膜晶体管放置在所述测量机台的指定区域；

步骤S20、确定并记录所述薄膜晶体管中漏极、源极和栅极的位置，所述栅极通过栅极金属线与栅极端子相连，所述源极通过源极金属线与源极端子相连；

步骤S30、打开镭射机台，分别采用目标激光除去所述漏极周围所述栅极金属线与所述源极金属线上方的钝化层，进而出现裸露栅极金属线与裸露源极金属线，其中，所述钝化层覆盖于所述薄膜晶体管表面；

步骤S40、使用三根测量探针分别接触漏极、裸露栅极金属线、裸露源极金属线；

步骤S50、采用电性测量工艺完成对所述薄膜晶体管的电学特性测量。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的测量方法，其特征在于，所述步骤S30的具体步骤包括：打开镭射机台，并设置镭射激光的能量值，采用所述镭射激光照射所述漏极周围的栅极金属线上方区域和所述源极金属线上方区域，所述镭射激光腐蚀所述栅极金属线和所述源极金属线上方区域的所述钝化层，直到所述栅极金属线及所述源极金属线露出。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的测量方法，其特征在于，所述镭射激光的能量值为70.2兆焦耳至80.2兆焦耳。