[发明专利]一种NOR闪存器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种NOR闪存器件及其制备方法，其中，NOR闪存器件，包括依次层叠的衬底、隧穿氧化层、浮栅层、介电层和控制栅层；至少一个贯穿控制栅层和介电层的浮栅过孔，浮栅过孔位于有源区，用于暴露出浮栅层，以引出浮栅电极；至少一个有源区阻挡结构，有源区阻挡结构设置于衬底和介电层之间，用于在对浮栅层的化学机械抛光工艺中，减少浮栅过孔暴露出的浮栅层的磨损。本发明的技术方案，通过增设有源区阻挡结构，可以有效的降低化学机械抛光工艺对其周围浮栅层的抛光速率，增加其周围浮栅层的厚度，可以避免由于浮栅层过薄而导致NOR闪存器件出现漏电或击穿的现象，提高了NOR闪存器件的可靠性。

主权项

1.一种NOR闪存器件，其特征在于，包括依次层叠的衬底、隧穿氧化层、浮栅层、介电层和控制栅层；至少一个贯穿所述控制栅层和所述介电层的浮栅过孔，所述浮栅过孔位于有源区，用于暴露出所述浮栅层，以引出浮栅电极；至少一个有源区阻挡结构，所述有源区阻挡结构设置于所述衬底和所述介电层之间，用于在对所述浮栅层的化学机械抛光工艺中，减少所述浮栅过孔暴露出的所述浮栅层的磨损。