[发明专利]一种NOR闪存器件及其制备方法

权利要求书

1.一种NOR闪存器件，其特征在于，包括依次层叠的衬底、隧穿氧化层、浮栅层、介电层和控制栅层；

至少一个贯穿所述控制栅层和所述介电层的浮栅过孔，所述浮栅过孔位于有源区，用于暴露出所述浮栅层，以引出浮栅电极；

至少一个有源区阻挡结构，所述有源区阻挡结构设置于所述衬底和所述介电层之间，用于在对所述浮栅层的化学机械抛光工艺中，减少所述浮栅过孔暴露出的所述浮栅层的磨损。

2.根据权利要求1所述的NOR闪存器件，其特征在于，所述衬底靠近所述隧穿氧化层一侧的表面形成有至少一个浅沟槽，所述有源区阻挡结构的一部分填充于所述浅沟槽中，所述有源区阻挡结构对应所述介电层的部分与所述介电层相接触。

3.根据权利要求2所述的NOR闪存器件，其特征在于，所述有源区阻挡结构为连续或间断的条形结构；

所述浮栅过孔的开口的长边沿第一方向延伸，所述有源区阻挡结构的长边沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向平行或相交。

4.根据权利要求3所述的NOR闪存器件，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直，且对应所述有源区阻挡结构的区域与对应所述浮栅过孔的区域存在交叠。

5.根据权利要求4所述的NOR闪存器件，其特征在于，对应所述有源区阻挡结构的区域与对应所述浮栅电极的区域无交叠。

6.根据权利要求4所述的NOR闪存器件，其特征在于，多个所述有源区阻挡结构沿所述第一方向平行排布，且沿所述第一方向上所述有源区阻挡结构与所述浮栅电极间隔设置。

7.根据权利要求1-6任一项所述的NOR闪存器件，其特征在于，对应所述浮栅过孔的部分或全部区域的所述浮栅层形成有金属硅化物，所述金属硅化物由所述浮栅层远离所述衬底一侧的表面向所述浮栅层内延伸。

8.根据权利要求7所述的NOR闪存器件，其特征在于，至少在对应所述浮栅电极的区域的所述浮栅层中形成有所述金属硅化物。

9.根据权利要求1所述的NOR闪存器件，其特征在于，所述介电层为氧化物层-氮化物层-氧化物层构成的叠层结构。

10.根据权利要求1所述的NOR闪存器件，其特征在于，所述浮栅过孔位于所述浮栅层的中间区域。

11.根据权利要求1所述的NOR闪存器件，其特征在于，对应所述浮栅过孔的区域的所述浮栅层的厚度大于周边的所述浮栅层的厚度。

12.一种NOR闪存器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成至少一个有源区阻挡结构，以限定形成浮栅过孔的开口区域，并在对所述浮栅层的化学机械抛光工艺中，减少所述开口区域处的所述浮栅层的磨损；

在所述衬底靠近所述有源区阻挡结构一侧的表面依次形成层叠的隧穿氧化层和浮栅层，其中，所述浮栅层覆盖所述有源区阻挡结构；

采用化学机械抛光工艺对所述浮栅层进行研磨，露出所述有源区阻挡结构；

在所述浮栅层和所述有源区阻挡结构远离所述衬底一侧的表面依次形成层叠的介电层和控制栅层；

在所述开口区域形成贯穿所述控制栅层和所述介电层的浮栅过孔。