[发明专利]石墨烯薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810162626.0 申请日: 2018-02-27
公开(公告)号: CN108117063B 公开(公告)日: 2018-11-27
发明(设计)人: 葛水兵;杨勇 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: C01B32/184 分类号: C01B32/184
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 冯瑞;杨慧林
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种石墨烯薄膜的制备方法,采用双频驱动的容性耦合等离子体源对氢气放电产生氢等离子体,利用所述氢等离子体在温度20‑80℃下还原氧化石墨烯薄膜得到石墨烯薄膜,氧化石墨烯薄膜的厚度为1‑30μm,氢气的流量为10‑30sccm,产生双频驱动的容性耦合等离子体源的上电极的射频频率为13.56‑60MHz,功率为0‑500W,下电极的射频频率为2‑27.12MHz,功率为0‑500W,氢气通过进气管与上电极的上极板连通,上极板上均布有若干小孔。本发明通过合理的控制氢等离子体的密度和能量,在低温条件下高效、无污染制备出具有良好的导电性能和透光性能的自支撑石墨烯。
搜索关键词: 氢等离子体 氢气 石墨烯薄膜 制备 容性耦合等离子体 射频频率 上极板 电极 双频 还原氧化石墨烯 氧化石墨烯薄膜 含氧官能团 驱动 薄膜表面 导电性能 低温条件 进气方式 透光性能 进气管 石墨烯 下电极 自支撑 放电 均布 喷式 小孔 连通
【主权项】:
1.一种石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:采用双频驱动的容性耦合等离子体源对氢气放电产生氢等离子体,利用所述氢等离子体在20‑80℃下还原氧化石墨烯薄膜表面的含氧官能团,得到所述石墨烯薄膜,所述氧化石墨烯薄膜的厚度为1‑30μm,氢气的流量为10‑30sccm,其中,产生所述双频驱动的容性耦合等离子体源的上电极的射频频率为13.56‑60MHz,功率为0‑500W,下电极的射频频率为2‑27.12MHz,功率为0‑500W,所述氢气通过进气管(9)与上电极的上极板(2)连通,所述上极板(2)上均布有若干小孔,以使得所述氢气采用淋喷式进气方式产生所述氢等离子体。
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