[发明专利]处理方案的评价方法、评价用辅助装置和液体处理装置有效
| 申请号: | 201810153767.6 | 申请日: | 2018-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN108461392B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
| 发明(设计)人: | 鹤田丰久;桾本裕一朗;羽山隆史;滨田佳志 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/67;G03F7/30 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种在该液体处理装置中能够对处理方案的液体飞溅的风险进行评价的技术,该液体处理装置对基片供给处理液体并且使基片旋转来对基片进行液体处理。在显影装置中,预先在第一存储部(93)制作了风险数据,该风险数据针对晶片(W)的转速和在晶片(W)的显影液的供给位置的每一组合对应有液体飞溅数。并且,当使用者制作处理方案时,根据上述风险数据显示该处理方案中设定的液体飞溅数的经时变化、在处理方案设定的液体飞溅的总数、在各显影步骤中设定的液体飞溅数等的液体飞溅风险。因此,使用者能够掌握重新制作的或者变更了的处理方案的液体飞溅风险,所以能够对处理方案的评价有贡献。 | ||
| 搜索关键词: | 处理 方案 评价 方法 辅助 装置 液体 | ||
【主权项】:
1.一种处理方案的评价方法,其对液体处理装置中使用的处理方案进行评价,所述液体处理装置通过一边使水平地保持基片的保持部绕铅垂轴旋转一边从喷嘴对该基片供给处理液体来进行液体处理,所述处理方案的评价方法的特征在于,包括:将由包括喷嘴位置和基片转速的参数值的组合的时间序列数据构成的处理方案存储在第一存储部中的步骤;从所述第一存储部读取所述处理方案的步骤;从第二存储部读取预先制作的将参数值的组合和与液体飞溅的风险对应的风险信息相关联而形成的风险数据的步骤;和基于从所述第一存储部读取的处理方案和从第二存储部读取的风险数据显示辅助数据的步骤,其中所述辅助数据是关于处理方案中的所述参数值的组合的液体飞溅的风险信息。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810153767.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





