[发明专利]处理方案的评价方法、评价用辅助装置和液体处理装置

说明书

本发明提供一种在该液体处理装置中能够对处理方案的液体飞溅的风险进行评价的技术，该液体处理装置对基片供给处理液体并且使基片旋转来对基片进行液体处理。在显影装置中，预先在第一存储部(93)制作了风险数据，该风险数据针对晶片(W)的转速和在晶片(W)的显影液的供给位置的每一组合对应有液体飞溅数。并且，当使用者制作处理方案时，根据上述风险数据显示该处理方案中设定的液体飞溅数的经时变化、在处理方案设定的液体飞溅的总数、在各显影步骤中设定的液体飞溅数等的液体飞溅风险。因此，使用者能够掌握重新制作的或者变更了的处理方案的液体飞溅风险，所以能够对处理方案的评价有贡献。

技术领域

本发明涉及评价液体处理装置的处理方案的技术和具有该技术的液体处理装置，上述液体处理装置用于对基片供给处理液体来进行液体处理。

背景技术

在半导体装置的制造的光刻步骤中，形成抗蚀剂膜，对于沿着规定的图案被曝光了的基片供给显影液体，形成抗蚀剂图案。例如，如专利文献1所记载，从显影液体喷嘴向保持为水平的半导体晶片(以下称为“晶片”)排出显影液体，在晶片W的表面形成也积液，通过显影液体喷嘴的移动和晶片W的旋转，将该积液在晶片W上扩展，由此进行显影处理。

在这样的显影装置中，在基片的转速高的情况下，当从喷嘴化排出的显影液体碰到晶片的表面时，有可能发生显影液体反弹的液体飞溅。因此，制造商制作了抑制液体飞溅的推荐处理方案，并组装到显影装置中。

但是，在使用涂敷、显影装置时，使用者为了控制在晶片形成的图案的线宽和缺陷，有时要变更显影处理中的方案。这时，由于处理方案中的晶片的转速、处理液体的供给液体量等，有时液体飞溅容易发生，会产生污染了组件整体，或者飞沫积存在喷嘴臂而产生滴液体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-023671号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明是鉴于上述的情况而完成的发明，其目的在于提供一种技术，在对基片供给处理液体并使基片旋转而在基片进行液体处理的液体处理装置中，能够评价处理方案的液体飞溅的风险。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的处理方案的评价方法，其对液体处理装置中使用的处理方案进行评价，上述液体处理装置通过一边使水平地保持基片的保持部绕铅垂轴旋转一边从喷嘴对该基片供给处理液体来进行液体处理，上述处理方案的评价方法的特征在于，包括：

将由包括喷嘴位置和基片转速的参数值的组合的时间序列数据构成的处理方案存储在第一存储部中的步骤；

从上述第一存储部读取上述处理方案的步骤；

从第二存储部读取预先制作的将参数值的组合和与液体飞溅的风险对应的风险信息相关联而形成的风险数据的步骤；和

基于从上述第一存储部读取的处理方案和从第二存储部读取的风险数据显示辅助数据的步骤，上述辅助数据是关于处理方案中的上述参数值的组合的液体飞溅的风险信息。

本发明的存储介质保存有在液体处理装置中使用的辅助软件，上述液体处理装置通过一边使水平地保持基片的保持部绕铅垂轴旋转一边从喷嘴对该基片供给处理液体来进行液体处理，上述存储介质的特征在于：

上述辅助软件包括执行步骤组的程序，上述步骤组包括：

从第一存储部中读取由包括喷嘴位置和基片转速的参数值的组合的时间序列数据构成的处理方案的步骤；

从第二存储部读取预先制作的将参数值的组合和与液体飞溅的风险对应的风险信息相关联而形成的风险数据的步骤；和