[发明专利]存储器元件以及其操作方法

摘要

本发明公开一种存储器元件以及其操作方法，该存储器元件包含第一区域，其中有多个氧化半导体静态随机存取存储器(OSSRAM)沿着第一方向排列，且各该OSSRAM包含有静态随机存取存储器(SRAM)以及至少一氧化半导体动态随机存取存储器(DOSRAM)，该DOSRAM与该SRAM相连，其中各该DOSRAM都包含有氧化半导体栅极(OSG)，各氧化半导体栅极沿着第二方向延伸，该第二方向与该第一方向互相垂直，以及氧化半导体通道区沿着该第一方向延伸，氧化半导体栅极连接线沿着该第一方向延伸，连接各该氧化半导体栅极，以及字符线、Vcc连接线以及Vss连接线，都沿着该第一方向延伸，并且与各OSSRAM中的各SRAM相连。

主权项

1.一种存储器元件，其特征在于，包含:第一区域，该第一区域内包含有多个氧化半导体静态随机存取存储器沿着一第一方向排列，且各该氧化半导体静态随机存取存储器包含有静态随机存取存储器以及至少一氧化半导体动态随机存取存储器，该至少一氧化半导体动态随机存取存储器与该静态随机存取存储器相连，其中各该氧化半导体动态随机存取存储器都包含有氧化半导体栅极，各氧化半导体栅极沿着一第二方向延伸，该第二方向与该第一方向互相垂直，以及氧化半导体通道区，沿着该第一方向延伸；氧化半导体栅极连接线，沿着该第一方向延伸，连接各该氧化半导体栅极；以及字符线、Vcc连接线以及Vss连接线，都沿着该第一方向延伸，并且与各氧化半导体静态随机存取存储器中的各静态随机存取存储器相连。