[发明专利]存储器元件以及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器元件，其特征在于，包含:

第一区域，该第一区域内包含有多个氧化半导体静态随机存取存储器沿着一第一方向排列，且各该氧化半导体静态随机存取存储器包含有静态随机存取存储器以及至少一氧化半导体动态随机存取存储器，该至少一氧化半导体动态随机存取存储器与该静态随机存取存储器相连，其中各该氧化半导体动态随机存取存储器都包含有氧化半导体栅极，各氧化半导体栅极沿着一第二方向延伸，该第二方向与该第一方向互相垂直，以及氧化半导体通道区，沿着该第一方向延伸；

氧化半导体栅极连接线，沿着该第一方向延伸，连接各该氧化半导体栅极；以及

字符线、Vcc连接线以及Vss连接线，都沿着该第一方向延伸，并且与各氧化半导体静态随机存取存储器中的各静态随机存取存储器相连。

2.如权利要求1所述的存储器元件，其中该氧化半导体动态随机存取存储器包含有氧化半导体场效晶体管以及电容，其中该氧化半导体栅极为该氧化半导体场效晶体管的一栅极。

3.如权利要求2所述的存储器元件，其中该氧化半导体场效晶体管与该静态随机存取存储器位于不同层结构中，且该氧化半导体场效晶体管位于该静态随机存取存储器的上方。

4.如权利要求1所述的存储器元件，其中该氧化半导体栅极横跨于该氧化半导体通道区上方。

5.如权利要求1所述的存储器元件，其中该氧化半导体通道区的材质包含铟镓锌氧化物。

6.如权利要求1所述的存储器元件，还包含有第二区域，与该第一区域相互平行排列，且该第二区域内包含有:

多个第二氧化半导体静态随机存取存储器沿着该第一方向排列，且各该第二氧化半导体静态随机存取存储器包含有第二静态随机存取存储器以及至少一第二氧化半导体动态随机存取存储器；以及

第二字符线、第二Vcc连接线以及第二Vss连接线，沿着该第一方向延伸，并且与各第二氧化半导体静态随机存取存储器中的各第二静态随机存取存储器相连。

7.如权利要求6所述的存储器元件，其中该第二氧化半导体动态随机存取存储器与该第二静态随机存取存储器相连，其中各该第二氧化半导体动态随机存取存储器都包含有第二氧化半导体栅极，各第二氧化半导体栅极沿着该第二方向延伸，以及第二氧化半导体通道区，沿着该第一方向延伸。

8.如权利要求7所述的存储器元件，该第二区域内还包含有第二氧化半导体栅极连接线，沿着该第一方向延伸，连接各该第二氧化半导体栅极。

9.如权利要求6所述的存储器元件，还包含有间隔区，位于该第一区域以及该第二区域之间，其中该间隔区沿着该第一方向延伸。

10.如权利要求9所述的存储器元件，其中该氧化半导体栅极连接线位于该第一区域内或位于该间隔区内。

11.如权利要求9所述的存储器元件，其中该Vcc连接线位于该第一区域内或位于该间隔区内。

12.如权利要求9所述的存储器元件，其中该第一区域内还包含有多个Vcc接触结构，连接该Vcc连接线以及该静态随机存取存储器，其中各该Vcc接触结构不位于该间隔区内。

13.如权利要求1所述的存储器元件，其中该静态随机存取存储器包含有六晶体管静态随机存取存储器。