[发明专利]存储器元件以及其操作方法

说明书

本发明公开一种存储器元件以及其操作方法，该存储器元件包含第一区域，其中有多个氧化半导体静态随机存取存储器(OSSRAM)沿着第一方向排列，且各该OSSRAM包含有静态随机存取存储器(SRAM)以及至少一氧化半导体动态随机存取存储器(DOSRAM)，该DOSRAM与该SRAM相连，其中各该DOSRAM都包含有氧化半导体栅极(OSG)，各氧化半导体栅极沿着第二方向延伸，该第二方向与该第一方向互相垂直，以及氧化半导体通道区沿着该第一方向延伸，氧化半导体栅极连接线沿着该第一方向延伸，连接各该氧化半导体栅极，以及字符线、Vcc连接线以及Vss连接线，都沿着该第一方向延伸，并且与各OSSRAM中的各SRAM相连。

技术领域

本发明涉及半导体制作工艺领域，尤其是涉及一种存储器元件以及其操作方法。

背景技术

在一嵌入式静态随机存取存储器(embedded static random access memory,embedded SRAM)中，包含有逻辑电路(logic circuit)和与逻辑电路连接的静态随机存取存储器。静态随机存取存储器本身属于一种挥发性(volatile)的存储单元(memory cell,MC)，亦即当供给静态随机存取存储器的电力消失之后，所存储的数据会同时抹除。静态随机存取存储器存储数据的方式是利用存储单元内晶体管的导电状态来达成，静态随机存取存储器的设计是采用互耦合晶体管为基础，没有电容器放电的问题，不需要不断充电以保持数据不流失，也就是不需作存储器更新的动作，这与同属挥发性存储器的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)利用电容器带电状态存储数据的方式并不相同。静态随机存取存储器的存取速度相当快，因此有在电脑系统中当作快取存储器(cache memory)等的应用。

发明内容

本发明提供一种存储器元件，包含一第一区域，该第一区域内包含有多个氧化半导体静态随机存取存储器(OSSRAM)沿着一第一方向排列，且各该OSSRAM包含有一静态随机存取存储器(SRAM)以及至少一氧化半导体动态随机存取存储器(DOSRAM)，该DOSRAM与该SRAM相连，其中各该DOSRAM都包含有一氧化半导体栅极(OSG)，各氧化半导体栅极沿着一第二方向延伸，该第二方向与该第一方向互相垂直，以及一氧化半导体通道区，沿着该第一方向延伸，一氧化半导体栅极连接线，沿着该第一方向延伸，连接各该氧化半导体栅极(OSG)，以及一字符线、一Vcc连接线以及一Vss连接线，都沿着该第一方向延伸，并且与各OSSRAM中的各SRAM相连。