[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201810148466.4 申请日: 2018-02-13
公开(公告)号: CN108461487A 公开(公告)日: 2018-08-28
发明(设计)人: 陈南诚;周哲雅;刘兴治;郭哲宏 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L25/18;H01L23/31;H01L23/538
代理公司: 北京市万慧达律师事务所 11111 代理人: 白华胜;王蕊
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种半导体装置,其包括:基底,本体结构和电子元件;所述本体结构,所述主体结构设置在所述基底上方,所述本体结构包括:具有主表面的半导体管芯;模塑料,用于封装所述半导体管芯,且所述模塑料具有下表面,与所述下表面相对的上表面以及从所述下表面延伸到所述上表面的通孔;形成在所述通孔内的导电元件;下层重分布层,形成在所述模塑料的下表面,所述半导体管芯的主表面和从所述下表面暴露出的导电元件之上;所述电子元件,设置在所述模塑料的上表面的上方,并且通过所述导电元件电性连接到所述下层重分布层。本发明实施例提供的半导体装置,具有较小的体积。
搜索关键词: 下表面 模塑料 半导体管芯 半导体装置 导电元件 上表面 重分布层 主表面 基底 通孔 下层 电性连接 主体结构 封装 暴露 延伸
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:基底,本体结构和电子元件;所述本体结构,设置在所述基底上方,所述本体结构包括:具有主表面的半导体管芯;模塑料,用于封装所述半导体管芯,且所述模塑料具有下表面,与所述下表面相对的上表面以及从所述下表面延伸到所述上表面的通孔;形成在所述通孔内的导电元件;下层重分布层,形成在所述模塑料的下表面,所述半导体管芯的主表面和从所述下表面暴露出的所述导电元件之上;所述电子元件,设置在所述模塑料的上表面的上方,并且通过所述导电元件电性连接到所述下层重分布层。
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