[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：基底，本体结构和电子元件；

所述本体结构，设置在所述基底上方，所述本体结构包括：

具有主表面的半导体管芯；

模塑料，用于封装所述半导体管芯，且所述模塑料具有下表面，与所述下表面相对的上表面以及从所述下表面延伸到所述上表面的通孔；

形成在所述通孔内的导电元件；

下层重分布层，形成在所述模塑料的下表面，所述半导体管芯的主表面和从所述下表面暴露出的所述导电元件之上；

所述电子元件，设置在所述模塑料的上表面的上方，并且通过所述导电元件电性连接到所述下层重分布层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述主体结构进一步包括：

上层重分布层，形成在所述上表面和所述模塑料之上，并且电性连接到所述导电元件；

其中，在所述电子元件和所述半导体管芯的堆叠方向上，所述电子元件与所述半导体管芯至少部分重叠。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述上层重分布层包括：

具有上表面的上层钝化层；以及

从所述上层钝化层的所述上表面突出的导电接垫；

其中，所述电子元件具有导电触头，并且所述电子元件通过所述导电触头被设置在所述导电接垫上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述电子元件和所述半导体管芯的堆叠方向上，所述电子元件与所述半导体管芯部分重叠。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电子元件是高带宽存储器HBM，或者，所述半导体管芯是系统上芯片SoC，或者，所述半导体管芯由硅晶片形成。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述下层重分布层延伸超过所述半导体管芯的侧面以形成扇出结构。

7.一种半导体装置，其特征在于，包括：模塑基底和电子元件；

所述模塑基底包括：

第一模塑料，所述第一模塑料具有上表面，下表面和从所述上表面延伸到所述下表面的第一通孔；

第一上层重分布层，形成在所述第一模塑料的所述上表面之上；

下层重分布层，形成在所述第一模塑料的所述下表面之上；

第一导电元件，形成在所述第一通孔中，并且连接所述下层重分布层到所述第一上层重分布层；

所述电子元件设置在所述第一上层重分布层之上。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

第二模塑料，形成在所述第一上层重分布层之上并且封装所述电子元件。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述第一上层重分布层包括：

上层钝化层，所述上层钝化层具有上表面；以及

导电接垫，所述导电接垫从所述上层钝化层的上表面突出；

其中，所述电子元件具有导电触头，并且所述电子元件通过所述导电触头被设置在所述导电接垫上。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

半导体管芯，嵌入在所述模塑基底的所述第一模塑料中，并且所述半导体管芯由硅晶片形成。

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

半导体管芯，嵌入在所述模塑基底的所述第一模塑料中，所述半导体管芯包括：

具有上表面的硅基底；以及

第二上层重分布层，形成在所述硅基底的所述上表面之上，并且电性连接到所述第一上层重分布层。

12.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述电子元件是高带宽存储器HBM，或者，所述半导体管芯是系统上芯片SoC。