[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，其包括：基底，本体结构和电子元件；所述本体结构，所述主体结构设置在所述基底上方，所述本体结构包括：具有主表面的半导体管芯；模塑料，用于封装所述半导体管芯，且所述模塑料具有下表面，与所述下表面相对的上表面以及从所述下表面延伸到所述上表面的通孔；形成在所述通孔内的导电元件；下层重分布层，形成在所述模塑料的下表面，所述半导体管芯的主表面和从所述下表面暴露出的导电元件之上；所述电子元件，设置在所述模塑料的上表面的上方，并且通过所述导电元件电性连接到所述下层重分布层。本发明实施例提供的半导体装置，具有较小的体积。

技术领域

本发明是关于一种半导体装置，且特别关于一种具有重分布层结构的半导体装置。

背景技术

在电子工业中，对于新的产品，高集成度以及具有高性能的多个功能变得必不可少。并且同时，由于生产成本与其大小成正比，所以高集成度引起高的生产成本。因此，集成电路封装的最小化的需求变得越来越重要。

封装上封装(Package-on-package，PoP)现在是单个芯片中高密度系统集成的有效解决方案，所以封装上封装现在是增长最快的半导体封装技术。在PoP结构中，各种封装被集成在单个半导体封装中以减低半导体封装的尺寸。

然而，由于模塑料(molding compound)的体积大PoP具有较大的尺寸，以及I/O触头(contact)的数目也较少。

发明内容

本发明提供一种半导体装置，具有较小的尺寸。

本发明一实施例提供一种半导体装置，其包括：基底，本体结构和电子元件；所述本体结构，设置在所述基底上方，所述本体结构包括：具有主表面的半导体管芯；模塑料，用于封装(encapsulating)所述半导体管芯，且所述模塑料具有下表面，与所述下表面相对的上表面以及从所述下表面延伸到所述上表面的通孔；形成在所述通孔内的导电元件；下层重分布层，形成在所述模塑料的下表面，所述半导体管芯的主表面和从所述下表面暴露出的导电元件之上；所述电子元件，设置在所述模塑料的上表面的上方，并且通过所述导电元件电性连接到所述下层重分布层。

本发明另一实施例提供一种半导体装置，其包括：模塑基底和电子元件；所述模塑基底包括：第一模塑料，所述第一模塑料具有上表面，下表面和从所述上表面延伸到所述下表面的第一通孔；第一上层重分布层，形成在所述第一模塑料的所述上表面；下层重分布层，形成在所述第一模塑料的所述下表面；第一导电元件，形成在所述第一通孔中，并且连接所述下层重分布层到所述第一上层重分布层；所述电子元件设置在所述第一上层重分布层之上。

本发明又一实施例提供一种半导体装置，其包括：下层RDL；体结构，设置在所述下层RDL之上，所述主体结构包括：硅中介层(silicon interposer)，设置在所述硅中介层之上的电子元件，和第一模塑料，其中所述第一模塑料封装(encapsulating)所述电子元件和所述硅中介层；第二模塑料，形成在所述下层RDL之上，并且封装(encapsulating)所述主体结构。

本发明实施例提供的半导体装置，相对于以前的半导体装置，具有较小的体积。具体的，本发明实施例通过主体结构中的导电元件，使电子元件与相应的重分布层电性连接，使得电子元件可以与主体结构中的半导体管芯电性连接，以形成封装上封装结构。

结合附图阅读以下对本发明实施例的详细描述，本发明的许多目的，特征和优点将变得显而易见。然而，这里使用的附图是为了描述的目的，不应被认为是限制性的。

附图说明

在阅读以下详细描述和附图之后，本发明的上述目的和优点对于本领域普通技术人员来说将变得更加显而易见，其中：

图1A是根据本发明实施例示出的半导体装置的示意图；

图1B是图1A中的半导体装置的顶视图(top view)；