[发明专利]制造晶体管的方法和制造使用晶体管的环形振荡器的方法在审
| 申请号： | 201810140222.1 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108461399A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 吴东妍 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238;H03K3/03 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在制造晶体管的方法中，可以在半导体衬底上形成栅极结构。可以在栅极结构上形成第一材料层以使栅极结构的上侧壁暴露。可以在栅极结构的上侧壁上形成包括第二材料的间隔物。可以使用间隔物作为刻蚀掩模来各向同性地刻蚀第一材料层以形成间隔。可以在半导体衬底之上形成绝缘夹层。绝缘夹层可以不形成在间隔中。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极结构 晶体管 第一材料 绝缘夹层 间隔物 上侧壁 衬底 半导体 制造 环形振荡器 第二材料 刻蚀掩模 刻蚀 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种制造晶体管的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成栅极结构；形成包括第一材料的第一材料层以使栅极结构的上侧壁暴露；在栅极结构的上侧壁上形成包括第二材料的间隔物；使用间隔物作为刻蚀掩模来各向同性地刻蚀第一材料层以形成间隔；以及在包括栅极结构的半导体衬底之上形成绝缘夹层，其中，绝缘夹层不形成在间隔中，使得在间隔中形成空气间隔物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810140222.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
