[发明专利]制造晶体管的方法和制造使用晶体管的环形振荡器的方法

权利要求书

1.一种制造晶体管的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成栅极结构；

形成包括第一材料的第一材料层以使栅极结构的上侧壁暴露；

在栅极结构的上侧壁上形成包括第二材料的间隔物；

使用间隔物作为刻蚀掩模来各向同性地刻蚀第一材料层以形成间隔；以及

在包括栅极结构的半导体衬底之上形成绝缘夹层，

其中，绝缘夹层不形成在间隔中，使得在间隔中形成空气间隔物。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成第一材料层包括：

在半导体衬底和栅极结构上形成第一材料层；以及

各向异性地刻蚀第一材料层以形成具有比栅极结构的高度低的高度且包括第一材料的间隔物。

3.如权利要求2所述的方法，还包括：

在形成包括第一材料的间隔物与形成包括第二材料的间隔物之间，在包括第一材料的间隔物上形成平坦化层；以及

在形成包括第二材料的间隔物之后，选择性地去除平坦化层以使包括第一材料的间隔物的侧壁暴露。

4.如权利要求3所述的方法，其中，平坦化层包括液化绝缘层，所述液化绝缘层包括旋涂玻璃SOG或旋涂碳SOC。

5.如权利要求1所述的方法，其中，形成第一材料层包括：

在半导体衬底上形成第一材料层，以填补栅极结构之间的间隔；以及

使第一材料层凹陷，以使栅极结构的上侧壁暴露。

6.如权利要求5所述的方法，还包括：

在形成包括第二材料的间隔物与形成间隔之间，使用包括第二材料的间隔物作为刻蚀掩模来各向异性地刻蚀第一材料层。

7.如权利要求1所述的方法，其中，形成栅极结构包括：

在半导体衬底上形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成栅极导电层；

在栅极导电层上形成硬掩模层；以及

图案化硬掩模层和栅极导电层。

8.如权利要求1所述的方法，还包括：

在形成栅极结构与形成第一材料层之间，在半导体衬底和栅极结构上形成第一内衬。

9.如权利要求8所述的方法，其中，第一内衬包括氮化硅。

10.如权利要求8所述的方法，其中，第一材料相对于第一内衬的材料和第二材料而具有刻蚀选择性。

11.如权利要求10所述的方法，其中，第一材料包括硅锗。

12.如权利要求11所述的方法，其中，第二材料相对于第一内衬的材料和第一材料而具有刻蚀选择性。

13.如权利要求12所述的方法，其中，第二材料包括氧化硅。

14.如权利要求8所述的方法，还包括：

在形成间隔与形成绝缘夹层之间，在半导体衬底上、间隔的内表面上、包括第二材料的间隔物的表面上和第一内衬的表面上形成第二内衬。

15.如权利要求1所述的方法，其中，形成绝缘夹层包括：在与半导体衬底的表面大致垂直的方向上的沉积速率比在与半导体衬底的表面大致平行的方向上的沉积速率快的状况下，各向异性地沉积绝缘夹层。

16.一种制造晶体管的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成栅极结构；

在栅极结构的下侧壁上形成第一间隔物；

在第一间隔物之上形成第二间隔物；

通过经由第一间隔物的暴露的侧表面供应刻蚀剂来选择性地去除第一间隔物，以在第二间隔物下形成间隔；以及

在包括栅极结构的半导体衬底之上形成绝缘夹层，

其中，绝缘夹层不形成在间隔中，使得在间隔中形成空气间隔物。