[发明专利]制造晶体管的方法和制造使用晶体管的环形振荡器的方法

说明书

在制造晶体管的方法中，可以在半导体衬底上形成栅极结构。可以在栅极结构上形成第一材料层以使栅极结构的上侧壁暴露。可以在栅极结构的上侧壁上形成包括第二材料的间隔物。可以使用间隔物作为刻蚀掩模来各向同性地刻蚀第一材料层以形成间隔。可以在半导体衬底之上形成绝缘夹层。绝缘夹层可以不形成在间隔中。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年2月20日提交的申请号为10-2017-0022388的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言涉及一种制造半导体集成电路器件的方法，更具体地，涉及一种制造晶体管的方法以及一种制造使用晶体管的环形振荡器的方法。

背景技术

通常，半导体器件可以包括相邻的导电结构和介于导电结构之间的电介质层。由于半导体器件可以高度集成，因此导电结构之间的间隙可以变得更窄，这增加了寄生电容。高寄生电容可以导致半导体器件的性能降低。

为了减小寄生电容，可以降低电介质层的电介质常数。然而，由于电介质层的电介质常数可能非常高，因此仅仅降低电介质层的电介质常数不能将寄生电容降低到满意的水平。

发明内容

根据一个实施例，可以提供一种制造晶体管的方法。在制造晶体管的方法中，可以在半导体衬底上形成栅极结构。可以在栅极结构上形成第一材料层以使栅极结构的上侧壁暴露。可以在栅极结构的上侧壁上形成包括第二材料的间隔物。可以使用间隔物作为刻蚀掩模来各向同性地刻蚀第一材料层以形成间隔。可以在半导体衬底之上形成绝缘夹层。绝缘夹层可以不形成在间隔中。

根据一个实施例，可以提供一种制造晶体管的方法。在制造晶体管的方法中，可以在半导体衬底上形成栅极结构。可以在栅极结构的下侧壁上形成第一间隔物。可以在第一间隔物之上形成第二间隔物。可以经由第一间隔物的侧表面将刻蚀剂供应到第一间隔物来选择性地去除第一间隔物，由此在第二间隔物下形成间隔。可以在半导体衬底之上形成绝缘夹层，绝缘夹层可以不形成在间隔中，以在间隔中形成空气间隔物。

根据一个实施例，可以提供一种制造环形振荡器的方法。环形振荡器可以包括彼此串联连接的反相器。每个反相器可以包括NMOS晶体管和PMOS晶体管。在制造环形振荡器的方法中，可以在半导体衬底上形成栅极结构。可以在栅极结构的下侧壁上形成第一间隔物。可以在第一间隔物之上形成第二间隔物。可以经由第一间隔物的侧表面将刻蚀剂供应到第一间隔物来选择性地去除第一间隔物，由此在第二间隔物下形成间隔。可以在半导体衬底之上形成绝缘夹层。在间隔中可以不形成绝缘夹层，以在间隔中形成空气间隔物。

附图说明

图1至图14是图示根据示例性实施例的制造晶体管的方法的截面图。

图15至图20是图示根据示例性实施例的制造晶体管的方法的截面图。

图21是图示根据示例性实施例的晶体管的截面图。

图22是图示根据示例性实施例的环形振荡器的电路图。

图23是图示图22中所示的环形振荡器的详细电路图。

图24是图示包括图23中所示的环形振荡器的半导体衬底的布局图。

图25是沿图24中的线a-a′截取的截面图。

图26是图示根据示例性实施例的计算机系统的框图。

具体实施方式

在下文中将参照附图来描述各种示例性实施例，在附图中图示了实施例的一些示例。然而，本发明可以以很多不同的形式来实施，而不应当被解释成局限于本文中所阐述的实施例的示例。相反地，提供这些实施例使得本公开将是彻底且完整的，且这些实施例将把本公开的范围充分传达给本领域技术人员。在图中，可能为了清楚而放大了层和区域的尺寸和相对尺寸。