[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810138907.2 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN110120415B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高磊;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底和凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部的数量至少为两个，所述鳍部露出的所述衬底上具有隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部部分侧壁，所述隔离层上具有横跨所述鳍部的伪栅，所述伪栅覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；在所述隔离层上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅侧壁；去除部分所述伪栅，露出部分数量个鳍部的部分顶部，在所述介质层内形成贯穿所述介质层厚度的开口；形成填充满所述开口的绝缘层。本发明能够在多个可形成沟道区的位置的基础上形成沟道区数量符合要求的半导体结构，从而可简化形成特定数量的沟道区的半导体结构的工艺过程。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：提供衬底和凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部的数量至少为两个，所述鳍部露出的所述衬底上具有隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部部分侧壁，所述隔离层上具有横跨所述鳍部的伪栅，所述伪栅覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；在所述隔离层上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅侧壁；去除部分所述伪栅，露出部分数量个鳍部的部分顶部，在所述介质层内形成贯穿所述介质层厚度的开口；形成填充满所述开口的绝缘层。
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