[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底和凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部的数量至少为两个，所述鳍部露出的所述衬底上具有隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部部分侧壁，所述隔离层上具有横跨所述鳍部的伪栅，所述伪栅覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；

在所述隔离层上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅侧壁；

去除部分所述伪栅，露出部分数量个鳍部的部分顶部，在所述介质层内形成贯穿所述介质层厚度的开口；

形成填充满所述开口的绝缘层；

所述鳍部包括第一鳍部和与所述第一鳍部相邻的第二鳍部；所述伪栅包括覆盖所述第一鳍部部分顶部及侧壁的伪栅第一部分和覆盖所述第二鳍部部分顶部及侧壁的伪栅第二部分；在去除部分所述伪栅的步骤中，去除所述伪栅第二部分，保留所述伪栅第一部分。

2.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，去除所述伪栅第二部分的工艺方法包括：形成覆盖所述伪栅第一部分顶部的光刻胶层，所述光刻胶层露出所述伪栅第二部分顶部；以所述光刻胶层为掩膜，去除所述伪栅第二部分；去除所述光刻胶层。

3.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，形成所述介质层前，还包括：在所述伪栅两侧的所述第一鳍部内形成第一凹槽；在所述伪栅两侧的所述第二鳍部内形成第二凹槽；形成填充满位于所述伪栅两侧的第一凹槽及第二凹槽的应力层。

4.如权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，采用选择性外延生长工艺形成所述应力层。

5.如权利要求1、3或4所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第一鳍部和第二鳍部的间距为30nm～40nm。

6.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，形成所述绝缘层后，还包括：去除所述伪栅第二部分，在所述介质层内形成贯穿所述介质层厚度的通孔；形成填充满所述通孔的栅极。

7.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述鳍部还包括与所述第二鳍部相邻的第三鳍部，所述第二鳍部位于所述第一鳍部及所述第三鳍部之间；所述伪栅还包括覆盖所述第三鳍部部分顶部及侧壁的伪栅第三部分；在去除部分所述伪栅的过程中，去除所述伪栅第三部分或保留所述伪栅第三部分。

8.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述开口露出所述部分数量个鳍部的部分顶部及部分侧壁；形成所述开口后，且在形成所述绝缘层前，还包括：去除高于所述隔离层顶部的所述鳍部，使剩余所述鳍部顶部与所述隔离层顶部齐平。

9.如权利要求8所述的半导体结构形成方法，其特征在于，去除高于所述隔离层顶部的所述鳍部后，且在形成所述绝缘层前，还包括：去除部分厚度所述开口露出的所述鳍部，使剩余所述鳍部顶部低于所述隔离层顶部。

10.如权利要求8所述的半导体结构形成方法，其特征在于，去除高于所述隔离层顶部的所述鳍部后，且在形成所述绝缘层前，还包括：去除所述开口露出的所述鳍部直至露出所述衬底表面。

11.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述第一绝缘层覆盖所述开口底部以及侧壁；所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层表面，且所述第二绝缘层顶部与所述介质层顶部齐平；所述第一绝缘层的致密度大于所述第二绝缘层的致密度。

12.如权利要求11所述的半导体结构形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述第一绝缘层。

13.如权利要求11所述的半导体结构形成方法，其特征在于，采用流体化学气相沉积工艺形成所述第二绝缘层。