[发明专利]非晶硅表面处理方法有效
| 申请号： | 201810136389.0 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108364866B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 刘刚;辛少强;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种非晶硅表面处理方法，非晶硅表面处理方法包括如下步骤：在真空腔室内，对含氧气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对非晶硅层进行第一次干法刻蚀操作；其中，所述含氧气体为氧气、二氧化氮中的至少一种；在真空腔室内，对碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述第二等离子体对经过第一次干法刻蚀操作处理后的所述非晶硅层进行第二次干法刻蚀操作。上述处理方法，第一等离子体中的活性氧分子对混合物中的有机物具有较好的清除作用，第二等离子体能够较好地去除混合物中的二氧化硅，能够减少非晶硅表面出现MURA，从而能够提高产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非晶硅表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：在真空腔室内，对含氧气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对非晶硅层进行第一次干法刻蚀操作；其中，所述含氧气体为氧气和二氧化氮中的至少一种；在真空腔室内，对碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述第二等离子体对经过第一次干法刻蚀操作处理后的所述非晶硅层进行第二次干法刻蚀操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
