[发明专利]非晶硅表面处理方法

说明书

一种非晶硅表面处理方法，非晶硅表面处理方法包括如下步骤：在真空腔室内，对含氧气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对非晶硅层进行第一次干法刻蚀操作；其中，所述含氧气体为氧气、二氧化氮中的至少一种；在真空腔室内，对碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述第二等离子体对经过第一次干法刻蚀操作处理后的所述非晶硅层进行第二次干法刻蚀操作。上述处理方法，第一等离子体中的活性氧分子对混合物中的有机物具有较好的清除作用，第二等离子体能够较好地去除混合物中的二氧化硅，能够减少非晶硅表面出现MURA，从而能够提高产品质量。

技术领域

本发明涉及显示设备制造技术领域，特别是涉及一种非晶硅表面处理方法及准分子激光退火处理传送系统。

背景技术

LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)工艺中，通常会涉及将非晶硅(Amorphous Silicon，A-Si)经过ELA(Excimer Laser Annealing，准分子激光退火)转变成P-Si(polycrystalline silicon，多晶硅)的过程。

然而，非晶硅表面在与空气接触时，使得非晶硅表面容易形成一层混合物，该混合物以有机物和二氧化硅为主，该混合物的存在会严重影响非晶硅的ELA效果，由此也会造成P-Si的电气特性性能变差，进而影响薄膜晶体管的性能。

虽然，LTPS工艺中，在ELA前一般采用DHF(Dilute Hydrofluoric Acid，稀氟氢酸)处理非晶硅表面的混合物。但经DHF处理后的基板会存在一定的损伤，使得非晶硅表面会出现不同程度的MURA(不均匀、有斑点、不均匀的痕迹)现象，其MURA的存在会严重影响薄膜晶体管的性能。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够较好地去除非晶硅表面的混合物以及能够减少非晶硅表面出现MURA的非晶硅表面处理方法及准分子激光退火处理传送系统。

一种非晶硅表面处理方法，包括如下步骤：

在真空腔室内，对含氧气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对非晶硅层进行第一次干法刻蚀操作；其中，所述含氧气体为氧气、二氧化氮中的至少一种；

在真空腔室内，对碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述第二等离子体对经过第一次干法刻蚀操作处理后的所述非晶硅层进行第二次干法刻蚀操作。

在其中一个实施例中，在所述第二次干法刻蚀操作之后，所述非晶硅表面处理方法还包括如下步骤：

在真空腔室内，对氧气进行第三次电离操作，形成第三等离子体，采用所述第三等离子体对经过第二次干法刻蚀操作处理后的所述非晶硅层进行第三次干法刻蚀操作。

在其中一个实施例中，所述第一次电离操作中，所述含氧气体的流量为300sccm-600sccm。

在其中一个实施例中，所述第一次电离操作中，所述含氧气体的流量为480sccm-500sccm。

在其中一个实施例中，第一次干法刻蚀操作为反应离子刻蚀或者电感耦合式等离子刻蚀。

在其中一个实施例中，所述第一次干法刻蚀操作持续时间为20秒～30秒。

在其中一个实施例中，所述第一次电离操作中，所述含氧气体的流量为492sccm。

在其中一个实施例中，所述碳氟气体为C₂H₅、C₂HF₅、C₄F₈、C₅F₈、CHF₃和CH₂F₂中的至少一种。