[发明专利]非晶硅表面处理方法有效
| 申请号： | 201810136389.0 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108364866B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 刘刚;辛少强;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶硅 表面 处理 方法 | ||
1.一种非晶硅表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
在真空腔室内，对含氧气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对非晶硅层进行第一次干法刻蚀操作；其中，所述含氧气体为氧气和二氧化氮中的至少一种；
在真空腔室内，对碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述第二等离子体对经过第一次干法刻蚀操作处理后的所述非晶硅层进行第二次干法刻蚀操作，其中，氢气电离后形成的H+与碳氟气体电离后形成的F+结合，以减少对非晶硅的刻蚀。
2.根据权利要求1所述的非晶硅表面处理方法，其特征在于，在所述第二次干法刻蚀操作之后，所述非晶硅表面处理方法还包括如下步骤：
在真空腔室内，对氧气进行第三次电离操作，形成第三等离子体，采用所述第三等离子体对经过第二次干法刻蚀操作处理后的所述非晶硅层进行第三次干法刻蚀操作。
3.根据权利要求1所述的非晶硅表面处理方法，其特征在于，所述第一次电离操作中，所述含氧气体的流量为300sccm-600sccm。
4.根据权利要求3所述的非晶硅表面处理方法，其特征在于，所述第一次干法刻蚀操作为反应离子刻蚀。
5.根据权利要求3所述的非晶硅表面处理方法，其特征在于，所述第一次干法刻蚀操作为电感耦合式等离子刻蚀。
6.根据权利要求4至5任一项中所述的非晶硅表面处理方法，其特征在于，所述第一次干法刻蚀操作持续时间为20秒～30秒。
7.根据权利要求1所述的非晶硅表面处理方法，其特征在于，所述碳氟气体为C2H5、C2HF5、C4F8、C5F8、CHF3和CH2F2中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的非晶硅表面处理方法，其特征在于，所述第二次电离操作中，碳氟气体、氢气和氩气的流量比为“40-80”：“10-50”：“200-300”。
9.根据权利要求8所述的非晶硅表面处理方法，其特征在于，第二次干法刻蚀操作为反应离子刻蚀或者电感耦合式等离子刻蚀。
10.根据权利要求9所述的非晶硅表面处理方法，其特征在于，所述第二次干法刻蚀操作的持续时间为10秒～30秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
