[发明专利]氧化硅膜和氮化硅膜的表面处理方法

摘要

一种氧化硅膜和氮化硅膜的表面处理方法，包括如下步骤：在真空腔室内，对第一混合气体进行第一次电离操作，得到第一等离子体，采用第一等离子体对基板上的氧化硅膜和氮化硅膜进行第一次刻蚀操作；第一混合气体为氧气和四氟化碳，第一混合气体进气口对应于基板的中心位置；在真空腔室内，对第二混合气体进行第二次电离操作，得到第二等离子体，采用第二等离子体对基板上的氧化硅膜和氮化硅膜进行第二次刻蚀操作；第二混合气体为碳氟气体、氢气和氩气，四个第二混合气体进气口与基板的四个边角一一对应。上述表面处理方法，能够较好地使得基板表面的氧化硅膜和氮化硅膜进一步地被刻蚀修复，能够解决氧化硅膜和氮化硅膜层加厚问题、多镀问题。

主权项

1.一种氧化硅膜和氮化硅膜的表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：在真空腔室内，对第一混合气体进行第一次电离操作，得到第一等离子体，采用所述第一等离子体对基板上的氧化硅膜和氮化硅膜进行第一次刻蚀操作；其中，所述第一混合气体为氧气和四氟化碳，所述真空腔室内侧壁上设置有第一混合气体进气口，所述第一混合气体进气口对应于所述基板的中心位置；在真空腔室内，对第二混合气体进行第二次电离操作，得到第二等离子体，采用所述第二等离子体对基板上的氧化硅膜和氮化硅膜进行第二次刻蚀操作；其中，所述第二混合气体为碳氟气体、氢气和氩气，所述真空腔室内侧壁上设置有四个第二混合气体进气口，四个所述第二混合气体进气口与所述基板的四个边角一一对应。