[发明专利]氧化硅膜和氮化硅膜的表面处理方法

说明书

一种氧化硅膜和氮化硅膜的表面处理方法，包括如下步骤：在真空腔室内，对第一混合气体进行第一次电离操作，得到第一等离子体，采用第一等离子体对基板上的氧化硅膜和氮化硅膜进行第一次刻蚀操作；第一混合气体为氧气和四氟化碳，第一混合气体进气口对应于基板的中心位置；在真空腔室内，对第二混合气体进行第二次电离操作，得到第二等离子体，采用第二等离子体对基板上的氧化硅膜和氮化硅膜进行第二次刻蚀操作；第二混合气体为碳氟气体、氢气和氩气，四个第二混合气体进气口与基板的四个边角一一对应。上述表面处理方法，能够较好地使得基板表面的氧化硅膜和氮化硅膜进一步地被刻蚀修复，能够解决氧化硅膜和氮化硅膜层加厚问题、多镀问题。

技术领域

本发明涉及显示设备制造技术领域，特别是涉及一种氧化硅膜和氮化硅膜的表面处理方法。

背景技术

随着科学技术的发展，LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅技术)生产中对刻蚀图案精度要求越来越高，相应膜层结构也越来复杂，目前一般的电路图案制作流程是经过成膜—成像—刻蚀—脱膜，以完成一道图案制作工序，从而得到设计所需要的刻蚀图案。

然而，在成膜SiN₂(氮化硅)和/或SiO₂(氧化硅)膜生产过程中，会出现因工艺/设备等问题导致的氧化硅膜和/或氮化硅膜层加厚，或者因操作问题导致氧化硅膜和氮化硅膜层存在多镀问题。加厚的膜层或者多镀的膜层会降低产品良率，膜层加厚会影响后续刻蚀的时间，导致后续正常刻蚀时出现残留或刻蚀膜层不到位，从而导致产品出现质量问题，甚至出现报废的问题，徒增制造成本。而膜厚过高，还会导致器件电路特性产生变化，如寄生电容、绝缘层钝化能力等，会严重影响产品良率，使得产品达不到设计要求。而氧化硅膜和氮化硅膜膜层多镀是因操作失误或机台故障导致多镀了一层膜层，因不能返修，常导致产品报废，影响产品良率，提升了产品的制造成本。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够解决氧化硅膜和氮化硅膜层加厚问题、能够解决氧化硅膜和氮化硅膜层多镀问题以及修复后膜层表面均匀性较好的氧化硅膜和氮化硅膜的表面处理方法。

一种氧化硅膜和氮化硅膜的表面处理方法，包括如下步骤：

在真空腔室内，对第一混合气体进行第一次电离操作，得到第一等离子体，采用所述第一等离子体对基板上的氧化硅膜和氮化硅膜进行第一次刻蚀操作；其中，所述第一混合气体为氧气和四氟化碳，所述真空腔室内侧壁上设置有第一混合气体进气口，所述第一混合气体进气口对应于所述基板的中心位置；

在真空腔室内，对第二混合气体进行第二次电离操作，得到第二等离子体，采用所述第二等离子体对基板上的氧化硅膜和氮化硅膜进行第二次刻蚀操作；其中，所述第二混合气体为碳氟气体、氢气和氩气，所述真空腔室内侧壁上设置有四个第二混合气体进气口，四个所述第二混合气体进气口与所述基板的四个边角一一对应。

在其中一个实施例中，所述第一次刻蚀操作刻蚀所述基板上65％～75％的区域，所述第二次刻蚀操作刻蚀所述基板上剩余部分的区域。

在其中一个实施例中，所述第一次刻蚀操作刻蚀基板上70％的区域，所述第二次刻蚀操作刻蚀所述基板上剩余部分的区域。

在其中一个实施例中，所述碳氟气体为C₂H₅、C₂HF₅、C₄F₈、C₅F₈、CHF₃和CH₂F₂中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述第一混合气体中，所述氧气的流量为20sccm～200sccm，所述四氟化碳的流量为300～2000sccm。