[发明专利]氧化硅膜和氮化硅膜的表面处理方法

权利要求书

1.一种氧化硅膜和氮化硅膜的表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

在真空腔室内，对第一混合气体进行第一次电离操作，得到第一等离子体，采用所述第一等离子体对基板上的氧化硅膜和氮化硅膜进行第一次刻蚀操作；其中，所述第一混合气体为氧气和四氟化碳，所述真空腔室内侧壁上设置有第一混合气体进气口，所述第一混合气体进气口对应于所述基板的中心位置；

在真空腔室内，对第二混合气体进行第二次电离操作，得到第二等离子体，采用所述第二等离子体对基板上的氧化硅膜和氮化硅膜进行第二次刻蚀操作；其中，所述第二混合气体为碳氟气体、氢气和氩气，所述真空腔室内侧壁上设置有四个第二混合气体进气口，四个所述第二混合气体进气口与所述基板的四个边角一一对应。

2.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述第一次刻蚀操作刻蚀所述基板上65％～75％的区域，所述第二次刻蚀操作刻蚀所述基板上剩余部分的区域。

3.根据权利要求2所述的表面处理方法，其特征在于，所述第一次刻蚀操作刻蚀基板上70％的区域，所述第二次刻蚀操作刻蚀所述基板上剩余部分的区域。

4.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述碳氟气体为C₂H₅、C₂HF₅、C₄F₈、C₅F₈、CHF₃和CH₂F₂中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述第一混合气体中，所述氧气的流量为20sccm～200sccm，所述四氟化碳的流量为300sccm～2000sccm。

6.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述第二混合气体中，所述碳氟气体的流量为80sccm～200sccm，所述氢气的流量为20sccm～60sccm，所述氩气的流量为100sccm～300sccm。

7.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述第一次电离操作中，所述真空腔室内的压强为1.33帕。

8.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述第二次电离操作中，所述真空腔室内的压强为5.32帕。

9.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，在所述第二次刻蚀操作之后，所述表面处理方法还包括如下步骤：

对基板上的氧化硅膜和氮化硅膜进行稀氢氟酸水洗操作。

10.根据权利要求9所述的表面处理方法，其特征在于，所述稀氢氟酸中氢氟酸的质量浓度为0.1％-1％。