[发明专利]半导体封装结构有效
| 申请号： | 201810133272.7 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108447860B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 林子闳;张嘉诚;彭逸轩 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体封装结构，其包括：第一半导体封装和第二半导体封装，该第二半导体封装位于该第一半导体封装的一部分上。该第一半导体封装包括：第一RDL结构，第一半导体管芯以及模塑料。该第一半导体管芯设置在该第一RDL结构的第一表面上并且电性耦接至该第一RDL结构。该第一模塑料设置在该第一RDL结构的该第一表面上并且围绕该第一半导体管芯。该第二半导体封装包括：第一存储器管芯和第二存储器管芯，垂直地堆叠于该第一存储器管芯上。该第二存储器管芯通过穿过该第二存储器管芯的硅通孔(TSV)互连结构电性耦接至该第一存储器管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一半导体封装和位于该第一半导体封装的一部分上的第二半导体封装；其中，该第一半导体封装，包括：第一重分布层结构，具有第一表面以及相对于该第一表面的第二表面；第一半导体管芯，电性耦接至该第一重分布层结构；以及模塑料，设置在该第一表面上并且围绕该第一半导体管芯；其中，该第二半导体封装包括：第一和第二存储器管芯，其中该第二存储器管芯垂直地堆叠于该第一存储器管芯上，并且该第二存储器管芯通过穿过其的硅通孔互连结构电性耦接至该第一存储器管芯。
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