[发明专利]半导体封装结构

说明书

本发明实施例提供了一种半导体封装结构，其包括：第一半导体封装和第二半导体封装，该第二半导体封装位于该第一半导体封装的一部分上。该第一半导体封装包括：第一RDL结构，第一半导体管芯以及模塑料。该第一半导体管芯设置在该第一RDL结构的第一表面上并且电性耦接至该第一RDL结构。该第一模塑料设置在该第一RDL结构的该第一表面上并且围绕该第一半导体管芯。该第二半导体封装包括：第一存储器管芯和第二存储器管芯，垂直地堆叠于该第一存储器管芯上。该第二存储器管芯通过穿过该第二存储器管芯的硅通孔(TSV)互连结构电性耦接至该第一存储器管芯。

技术领域

本发明涉及封装技术，尤其涉及一种半导体封装结构。

背景技术

PoP(Package-on-Package，封装上封装，或堆叠封装)结构是一种用来垂直地组合SOC(System-On-Chip，片上系统)和存储器封装的集成电路封装方式。两个或者更多的封装通过标准接口安装(即堆叠)于彼此的顶上，以在他们之间路由信号。PoP封装允许在设备中具有更高的元件密度，诸如移动电话、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)，以及数码相机。

对于具有更高集成度和改善的性能、带宽、延迟、功率、重量以及形状因子的存储器应用，信号垫与接地垫之间的比率在改善耦合效应方面变得重要。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种半导体封装结构。

本发明实施例提供了一种半导体封装结构，包括：第一半导体封装和位于该第一半导体封装的一部分上的第二半导体封装；其中，该第一半导体封装，包括：第一重分布层结构，具有第一表面以及相对于该第一表面的第二表面；第一半导体管芯，电性耦接至该第一重分布层结构；以及模塑料，设置在该第一表面上并且围绕该第一半导体管芯；其中，该第二半导体封装包括：第一和第二存储器管芯，其中该第二存储器管芯垂直地堆叠于该第一存储器管芯上，并且该第二存储器管芯通过穿过其的硅通孔互连结构电性耦接至该第一存储器管芯。

其中，该第一半导体封装进一步包括：第一导电结构，设置在该第一重分布层结构的该第二表面上；该第二半导体封装进一步包括：第二导电结构，电性耦接至该第一半导体封装。

其中，该第一导电结构具有第一直径，该第二导电结构具有小于该第一直径的第二直径，且该第二直径小于该第一直径；

或者，该第一导电结构以第一间距重复地设置，以及该第二导电结构以小于该第一间距的第二间距重复地设置。

其中，进一步包括：基座，该第一半导体封装和该第二半导体封装通过该第一导电结构安装于该基座上。

其中，该第二半导体封装嵌入于该基座中，并且该第一和第二导电结构均接触该第一重分布层结构的该第二表面。

其中，进一步包括：散热结构，位于该第一半导体封装和该第二半导体封装的上方，其中该散热结构连接至该基座以形成用于容纳该第一半导体封装和该第二半导体封装的空间。

其中，该散热结构包括：环形部分和覆盖部分，其中该环形部分连接至该基座并且围绕该第一半导体封装，该覆盖部分覆盖该第一半导体封装和该第二半导体封装并且连接至该环形部分。

其中，该第一半导体封装进一步包括：第二半导体管芯，与所述第一半导体管芯并排设置并且电性耦接至该第一重分布层结构。

其中，在平面视图中，该模塑料的边界围绕该第二半导体封装的边界。

其中，该第二半导体封装的该第二导电结构通过穿过该模塑料的第一通孔电性耦接至该第一半导体封装的该第一重分布层结构。