[发明专利]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一半导体封装和位于该第一半导体封装的一部分上的第二半导体封装；

其中，该第一半导体封装，包括：第一重分布层结构，具有第一表面以及相对于该第一表面的第二表面；第一半导体管芯，电性耦接至该第一重分布层结构；以及模塑料，设置在该第一表面上并且围绕该第一半导体管芯；该第一半导体封装进一步包括：第一导电结构，设置在该第一重分布层结构的该第二表面上；

其中，该第二半导体封装包括：第一存储器管芯和第二存储器管芯，其中该第二存储器管芯垂直地堆叠于该第一存储器管芯上，并且该第二存储器管芯通过穿过其的硅通孔互连结构电性耦接至该第一存储器管芯；该第二半导体封装进一步包括：第二导电结构，电性耦接至该第一半导体封装；

该半导体封装结构进一步包括：基座，该第一半导体封装和该第二半导体封装通过该第一导电结构安装于该基座上；该第二半导体封装嵌入于该基座中，并且该第一导电结构和该第二导电结构均接触该第一重分布层结构的该第二表面。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一导电结构具有第一直径，该第二导电结构具有小于该第一直径的第二直径，且该第二直径小于该第一直径；

或者，该第一导电结构以第一间距重复地设置，以及该第二导电结构以小于该第一间距的第二间距重复地设置。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：

散热结构，位于该第一半导体封装和该第二半导体封装的上方，其中该散热结构连接至该基座以形成用于容纳该第一半导体封装和该第二半导体封装的空间。

4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，该散热结构包括：环形部分和覆盖部分，其中该环形部分连接至该基座并且围绕该第一半导体封装，该覆盖部分覆盖该第一半导体封装和该第二半导体封装并且连接至该环形部分。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一半导体封装进一步包括：第二半导体管芯，与所述第一半导体管芯并排设置并且电性耦接至该第一重分布层结构。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，在平面视图中，该模塑料的边界围绕该第二半导体封装的边界。

7.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一半导体管芯为逻辑管芯，该第一半导体封装为片上系统封装，该第二半导体封装为高带宽存储器封装。