[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201810131080.2 | 申请日: | 2018-02-08 |
公开(公告)号: | CN108511411B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 佐佐木健次;筒井孝幸;大部功;山本靖久 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L25/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 韩聪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种即便将保护电路组装到放大电路中也能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在基板形成包括半导体元件的放大电路。形成于基板的保护电路包括相互串联连接的多个保护二极管,并与放大电路的输出端子连接。焊盘导体层在至少一部分包括用于与基板的外部的电路连接的焊盘。俯视情况下,焊盘导体层与保护电路至少局部地重叠。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,具有:放大电路,包括形成于基板的半导体元件;保护电路,包括形成于所述基板且相互串联连接的多个保护二极管,该保护电路被连接至所述放大电路的输出端子;和焊盘导体层,该焊盘导体层的至少一部分包括用于与所述基板的外部的电路连接的焊盘,俯视情况下,所述焊盘导体层与所述保护电路至少局部地重叠。
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