[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

放大电路，包括形成于基板的半导体元件；

保护电路，包括形成于所述基板且相互串联连接的多个保护二极管，该保护电路被连接至所述放大电路的输出端子；和

焊盘导体层，该焊盘导体层的至少一部分包括用于与所述基板的外部的电路连接的焊盘，

俯视情况下，所述焊盘导体层与所述保护电路至少局部地重叠，

多个所述保护二极管构成在俯视情况下在中途被折回的二极管列，

多个所述保护二极管的每一个包括：第1导电型的第1半导体层；第2导电型的第2半导体层，形成于所述第1半导体层的上表面的一部分的区域，且所述第2导电型与所述第1导电型相反；以及与所述第1半导体层的上表面欧姆连接的第1电极，

俯视情况下，所述第1电极具有在所述二极管列的宽度方向夹持所述第2半导体层的U字形的平面形状。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具有形成于所述基板的接地导体，

所述保护电路被连接于所述放大电路的输出端子与所述接地导体之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具有绝缘性的保护膜，该保护膜覆盖所述焊盘导体层，设置使所述焊盘导体层的表面的一部分的区域露出的开口，且覆盖其他区域，

俯视情况下，所述开口与所述保护电路至少局部地重叠。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具有绝缘性的保护膜，该保护膜覆盖所述焊盘导体层，设置使所述焊盘导体层的表面的一部分的区域露出的开口，且覆盖其他区域，

俯视情况下，所述开口与所述保护电路至少局部地重叠。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具有形成于所述开口的底面的所述焊盘导体层之上的凸块。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具有形成于所述开口的底面的所述焊盘导体层之上的凸块。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述凸块的平面形状为圆角长方形。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述凸块的平面形状为圆角长方形。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，

所述保护电路的一部分被配置于所述焊盘导体层的外侧。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体元件由化合物半导体形成。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

所述半导体元件由化合物半导体形成。