[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201810131080.2 | 申请日: | 2018-02-08 |
公开(公告)号: | CN108511411B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 佐佐木健次;筒井孝幸;大部功;山本靖久 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L25/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 韩聪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
提供一种即便将保护电路组装到放大电路中也能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在基板形成包括半导体元件的放大电路。形成于基板的保护电路包括相互串联连接的多个保护二极管,并与放大电路的输出端子连接。焊盘导体层在至少一部分包括用于与基板的外部的电路连接的焊盘。俯视情况下,焊盘导体层与保护电路至少局部地重叠。
技术领域
本发明涉及半导体装置。
背景技术
作为构成近年来的移动终端的高频放大器模块的晶体管,主要使用异质结双极晶体管(HBT)。公知在HBT的集电极-发射极间连接了静电破坏防止电路(保护电路)的半导体装置(专利文献1)。该保护电路由被相互串联连接起来的多个二极管构成。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:专利第4977313号公报
构成保护电路的二极管被设计为满足以下条件:在通常功能的动作时不会导通,而在集电极-发射极间产生了超过所容许的电压的上限值的电压时导通。为了满足这一条件,作为保护电路能利用将8个以上的二极管串联连接起来的电路。因为有必要确保配置8个以上二极管的区域,所以芯片面积会增大。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种即便将保护电路组装于放大电路、也能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。
基于本发明的第1观点的半导体装置,具有:
放大电路,包括形成于基板的半导体元件;
保护电路,包括形成于所述基板且相互串联连接的多个保护二极管,该保护电路被连接至所述放大电路的输出端子;和
焊盘导体层,该焊盘导体层的至少一部分包括用于与所述基板的外部的电路连接的焊盘,
俯视情况下,所述焊盘导体层与所述保护电路至少局部地重叠。
通过将焊盘导体层与保护电路局部地重叠来配置,从而能够抑制芯片面积的增大。
基于本发明的第2观点的半导体装置,在基于第1观点的半导体装置的构成的基础上,具有以下特征:
还具有形成于所述基板的接地导体,
所述保护电路被连接于所述放大电路的输出端子与所述接地导体之间。
能够使输出端子产生的高电压穿过保护电路而避开接地导体。
基于本发明的第3观点的半导体装置,在基于第1及第2观点的半导体装置的构成的基础上,其特征在于,
还具有绝缘性的保护膜,该保护膜覆盖所述焊盘导体层,设置使所述焊盘导体层的表面的一部分的区域露出的开口,且覆盖其他区域,
俯视情况下,所述开口与所述保护电路至少局部地重叠。
露出于设置在保护膜的开口内的焊盘导体层作为引线接合用或凸块用的焊盘起作用。焊盘与保护电路至少局部地重叠,由此能够抑制芯片面积的增大。
基于本发明的第4观点的半导体装置,在基于第3观点的半导体装置的构成的基础上,
还具有形成于所述开口的底面的所述焊盘导体层之上的凸块。
利用凸块,能够面向下安装于模块基板。
基于本发明的第5观点的半导体装置,在基于第4观点的半导体装置的构成的基础上,具有以下特征:所述凸块的平面形状为圆角长方形。
通过使凸块的平面形状为圆角长方形,从而能够与凸块的掩模形状几乎相同地稳定进行凸块的加工。
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