[发明专利]图形优化方法及掩膜版的制备方法有效
| 申请号： | 201810119509.6 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN110119065B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 杜杳隽;张婉娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/68 | 分类号： | G03F1/68 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种图形优化方法，本发明提供的图形优化方法中，所述图形优化方法包括：提供待优化图形，包括第一图形和第二图形，所述第一图形的可调整性小于所述第二图形的可调整性；以所述第二图形为基准，为所述第一图形添加第一散射条；以及以所述第一图形和所述第一散射条为基准，为所述第二图形添加第二散射条。由此，改变了添加散射条时的基准，使得可调整性小的第一图形优先添加散射条，如此使得添加的散射条能够更好的发挥作用，有效改善图形密度，进而采用该方法制备的掩膜版，可以提高图形分辨率，确保较佳的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 优化 方法 掩膜版 制备 | ||
【主权项】：
1.一种图形优化方法，其特征在于，所述图形优化方法包括：提供待优化图形，所述待优化图形包括第一图形和第二图形，所述第一图形的可调整性小于所述第二图形的可调整性；以所述第二图形为基准，为所述第一图形添加第一散射条；以及以所述第一图形和所述第一散射条为基准，为所述第二图形添加第二散射条。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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