[发明专利]图形优化方法及掩膜版的制备方法有效
| 申请号: | 201810119509.6 | 申请日: | 2018-02-06 |
| 公开(公告)号: | CN110119065B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
| 发明(设计)人: | 杜杳隽;张婉娟 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 300385 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图形 优化 方法 掩膜版 制备 | ||
1.一种图形优化方法,其特征在于,所述图形优化方法包括:
提供待优化图形,所述待优化图形包括第一图形和第二图形,所述第一图形的可调整性小于所述第二图形的可调整性,且所述第二图形位于相邻两个第一图形之间;
以所述第二图形为基准,为所述第一图形添加第一散射条;以及
以所述第一图形和所述第一散射条为基准,为所述第二图形添加第二散射条,所述第一散射条和所述第二散射条均为条状。
2.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,为所述第二图形添加第二散射条之后,所述图形优化方法还包括:
调整所述第二图形的大小。
3.如权利要求2所述的图形优化方法,其特征在于,所述第二图形为矩形。
4.如权利要求3所述的图形优化方法,其特征在于,调整所述第二图形的大小为使得所述矩形的至少一个边增大1-10nm。
5.如权利要求3所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一图形为矩形。
6.如权利要求5所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一图形和第二图形的宽度皆大于曝光光源的最小成像尺寸。
7.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一图形和第二图形之间间距相对较大处相比所述第一图形和第二图形之间间距相对较小处,所述第一散射条的长度较大或更密集。
8.如权利要求7所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一散射条的长度方向平行或垂直于所述第一图形和第二图形的排布方向。
9.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,所述第二图形周边空间相对较大处相比所述第二图形周边空间相对较小处,所述第二散射条的长度较大或更密集。
10.如权利要求9所述的图形优化方法,其特征在于,所述第二散射条的长度方向平行或垂直于所述第一图形和第二图形的排布方向。
11.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一图形为静态存储区边界图形。
12.如权利要求11所述的图形优化方法,其特征在于,所述第二图形为相邻于所述第一图形的逻辑区图形。
13.如权利要求12所述的图形优化方法,其特征在于,所述第二图形位于两组第一图形之间。
14.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一散射条和第二散射条的宽度皆小于曝光光源的最小成像尺寸。
15.一种掩膜版的制备方法,其特征在于,采用如权利要求1-14中任意一项所述的图形优化方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810119509.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





