[发明专利]图形优化方法及掩膜版的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810119509.6 申请日: 2018-02-06
公开(公告)号: CN110119065B 公开(公告)日: 2022-08-26
发明(设计)人: 杜杳隽;张婉娟 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F1/68 分类号: G03F1/68
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 300385 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 图形 优化 方法 掩膜版 制备
【权利要求书】:

1.一种图形优化方法,其特征在于,所述图形优化方法包括:

提供待优化图形,所述待优化图形包括第一图形和第二图形,所述第一图形的可调整性小于所述第二图形的可调整性,且所述第二图形位于相邻两个第一图形之间;

以所述第二图形为基准,为所述第一图形添加第一散射条;以及

以所述第一图形和所述第一散射条为基准,为所述第二图形添加第二散射条,所述第一散射条和所述第二散射条均为条状。

2.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,为所述第二图形添加第二散射条之后,所述图形优化方法还包括:

调整所述第二图形的大小。

3.如权利要求2所述的图形优化方法,其特征在于,所述第二图形为矩形。

4.如权利要求3所述的图形优化方法,其特征在于,调整所述第二图形的大小为使得所述矩形的至少一个边增大1-10nm。

5.如权利要求3所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一图形为矩形。

6.如权利要求5所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一图形和第二图形的宽度皆大于曝光光源的最小成像尺寸。

7.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一图形和第二图形之间间距相对较大处相比所述第一图形和第二图形之间间距相对较小处,所述第一散射条的长度较大或更密集。

8.如权利要求7所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一散射条的长度方向平行或垂直于所述第一图形和第二图形的排布方向。

9.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,所述第二图形周边空间相对较大处相比所述第二图形周边空间相对较小处,所述第二散射条的长度较大或更密集。

10.如权利要求9所述的图形优化方法,其特征在于,所述第二散射条的长度方向平行或垂直于所述第一图形和第二图形的排布方向。

11.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一图形为静态存储区边界图形。

12.如权利要求11所述的图形优化方法,其特征在于,所述第二图形为相邻于所述第一图形的逻辑区图形。

13.如权利要求12所述的图形优化方法,其特征在于,所述第二图形位于两组第一图形之间。

14.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一散射条和第二散射条的宽度皆小于曝光光源的最小成像尺寸。

15.一种掩膜版的制备方法,其特征在于,采用如权利要求1-14中任意一项所述的图形优化方法。

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